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公开(公告)号:CN106463269A
公开(公告)日:2017-02-22
申请号:CN201580019803.4
申请日:2015-03-26
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01G9/20
CPC classification number: H01G9/20 , H01G9/2027 , H01G9/2059 , H01G9/2086 , H01G9/209 , Y02E10/542
Abstract: 本发明提供光电转换元件,防止多孔性半导体层从上部支撑体剥离,被位于光入射侧的透光性的上部支撑体(101)与位于其相对侧的下部支撑体(110)夹持,从该上部支撑体的一侧依次配置有具有多孔性半导体层(102、103)的光电转换层(112)、集电极(104)、绝缘层(105)以及异性极支撑体(101)与该多孔性半导体层(103)之间相邻配置有膜厚0.5~10nm的密接部(111)。(106),而且包含载流子传输材料,至少在该上部
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公开(公告)号:CN102460821B
公开(公告)日:2015-03-04
申请号:CN201080028883.7
申请日:2010-06-15
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01G9/20
CPC classification number: H01G9/2081 , H01G9/2031 , H01G9/2059 , Y02E10/542
Abstract: 本发明的湿式太阳能电池模块(1),其特征在于,是2个以上的光电转换元件(30)相离地配置且夹持于第1绝缘性基板(10)与第2绝缘性基板(20)之间的湿式太阳能电池模块,光电转换元件(30)在第1绝缘性基板(10)上依次层叠有第1电极(11)、光电转换部(40)和第2电极(21),包含在光电转换元件(30)中的第1电极(11)或第2电极(21)中的至少一个具有贯通部(50),相邻的2个光电转换元件(30)的光电转换部(40)之间具有将贯通部(50)贯通的单元间绝缘部(15),由第1绝缘性基板(10)、第2绝缘性基板(20)和单元间绝缘部(15)围成的空间设有载流子输送部(8)。
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公开(公告)号:CN101326676A
公开(公告)日:2008-12-17
申请号:CN200680046410.3
申请日:2006-10-04
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明提供提高了光电转换效率的光电转换元件及使用该光电转换元件的太阳能电池。一种光电转换元件,其由吸附了染料的多孔半导体层(11)构成的光电转换层(31)、载流子输送层(4)和一对电极构成(3,7),其中,所述光电转换层(31)的所述多孔半导体层(31)整体在近红外区的雾度为60%~95%。特别是当多孔半导体层(11)由多个层构成时,优选距光的入射侧最远的所述多孔半导体层在近红外区的雾度为60%~95%。
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公开(公告)号:CN102460821A
公开(公告)日:2012-05-16
申请号:CN201080028883.7
申请日:2010-06-15
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01G9/2081 , H01G9/2031 , H01G9/2059 , Y02E10/542
Abstract: 本发明的湿式太阳能电池模块(1),其特征在于,是2个以上的光电转换元件(30)相离地配置且夹持于第1绝缘性基板(10)与第2绝缘性基板(20)之间的湿式太阳能电池模块,光电转换元件(30)在第1绝缘性基板(10)上依次层叠有第1电极(11)、光电转换部(40)和第2电极(21),包含在光电转换元件(30)中的第1电极(11)或第2电极(21)中的至少一个具有贯通部(50),相邻的2个光电转换元件(30)的光电转换部(40)之间具有将贯通部(50)贯通的单元间绝缘部(15),由第1绝缘性基板(10)、第2绝缘性基板(20)和单元间绝缘部(15)围成的空间设有载流子输送部(8)。
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公开(公告)号:CN100588028C
公开(公告)日:2010-02-03
申请号:CN200680046410.3
申请日:2006-10-04
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明提供提高了光电转换效率的光电转换元件及使用该光电转换元件的太阳能电池。一种光电转换元件,其由吸附了染料的多孔半导体层(11)构成的光电转换层(31)、载流子输送层(4)和一对电极构成(3,7),其中,所述光电转换层(31)的所述多孔半导体层(31)整体在近红外区的雾度为60%~95%。特别是当多孔半导体层(11)由多个层构成时,优选距光的入射侧最远的所述多孔半导体层在近红外区的雾度为60%~95%。
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