公开(公告)号：CN105684136A

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201480059057.7

申请日：2014-11-05

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 印南航介 ,  寺口信明

IPC: H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8232 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L27/095 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L27/0281 ,  H01L27/0255 ,  H01L27/0259 ,  H01L27/0266 ,  H01L27/0288 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812

Abstract: 半导体器件包括常截止型的第一晶体管、常导通型的第二晶体管和常导通型的第三晶体管。上述第一晶体管与上述第二晶体管共源共栅连接，上述第三晶体管与上述第二晶体管并联连接。上述第二晶体管和上述第三晶体管各自的截止耐压比上述第一晶体管的截止耐压高，上述第三晶体管的接通时间比上述第二晶体管的接通时间短。

公开(公告)号：CN105379118B

公开(公告)日：2018-12-04

申请号：CN201480036978.1

申请日：2014-06-06

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 池谷直泰 ,  仲嶋明生 ,  印南航介

IPC: H03K17/08 ,  H03K17/10 ,  H03K17/687

Abstract: 本发明提供一种能够节省空间的复合型半导体器件及其控制方法。Si－FET(2)先导通，GaN器件(1)在Si－FET(2)导通后导通，由此复合型半导体器件(10)实现导通。

公开(公告)号：CN105379118A

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201480036978.1

申请日：2014-06-06

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 池谷直泰 ,  仲嶋明生 ,  印南航介

IPC: H03K17/08 ,  H03K17/10 ,  H03K17/687

CPC classification number: H03K17/6871 ,  H03K17/08142 ,  H03K17/102

Abstract: 本发明提供一种能够节省空间的复合型半导体器件及其控制方法。Si－FET(2)先导通，GaN器件(1)在Si－FET(2)导通后导通，由此复合型半导体器件(10)实现导通。