-
公开(公告)号：CN1285149C
公开(公告)日：2006-11-15
申请号：CN200410007604.5
申请日：2004-02-26
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01S5/16
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/162 , H01S5/168 , H01S5/2206 , H01S5/2231 , H01S5/305 , H01S5/3054 , H01S5/3213 , H01S5/34326 , H01S5/3436
Abstract: 一种由以AlGaInP为基的材料制作的半导体激光器件，包括：形成在半导体衬底上面的一个第一导电类型的第一覆盖层，一个有源层和一个第二导电类型的第二覆盖层，其中在靠近激光谐振器端面的区域中的所述有源层的一部分，在光致发光中具有的峰值波长小于在激光谐振器内部区域中的所述有源层的一部分中的光致发光峰值波长，而位于靠近激光谐振器端面的区域中的第二导电类型的第二覆盖层含有As原子，以及该半导体激光器件的一种制作方法。
-
公开(公告)号：CN1235319C
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN03158576.0
申请日：2003-09-19
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 大久保伸洋
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/162 , H01S5/164 , H01S5/168 , H01S5/2231 , H01S5/3054 , H01S5/34326
Abstract: 本发明涉及一种半导体激光器及其制造方法，可以降低在高输出工作时的驱动电流，并且确保较高的长期可靠性。该半导体激光器包括一半导体基板，一第一导电型的第一覆盖层，一活性层，一第二导电型的第二覆盖层以及一第二导电型的保护层，并且在靠近激光谐振器端面的区域中的活性层(窗口区)的荧光峰值波长小于在激光谐振器内部区域中的活性层(活性区)的荧光峰值波长。在靠近激光谐振器端面的区域中的活性层内，具有第二导电性的第一杂质原子和具有第二导电性的第二杂质原子混合存在，同时第一杂质原子的浓度高于第二杂质原子的浓度。
-
公开(公告)号：CN1578027A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410055237.6
申请日：2004-07-22
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 大久保伸洋
IPC: H01S5/30
CPC classification number: H01S5/22 , H01S5/164 , H01S5/168 , H01S5/2205
Abstract: 在一种AlGaInP半导体激光器中，在半导体衬底上至少形成第一导电型第一包层、有源层和第二导电型第二包层。第二包层在与衬底反向相对的一侧上形成条带形的脊，在脊的两侧上设置第一导电型电流阻碍层。第一导电型电流阻碍层相对于半导体衬底的晶格失配率为－0.20％或者更大，但不超过0％。该晶格失配率在电流阻碍层内可以是均匀的。可选择地，该晶格失配率可以随着该电流阻碍层与第二导电型第二包层中除脊之外的部分的距离增加而连续或逐渐增加。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101621177A
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200910166918.2
申请日：2009-06-17
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 大久保伸洋
CPC classification number: H01S5/02244 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01S5/02268 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体激光装置。在该半导体激光装置中，第一引线具有在表面上经由子固定部件搭载半导体激光元件的搭载部以及与该搭载部连接并延伸的引线部。在将从半导体激光元件射出主光束的方向定义为前方，将相对于该前方垂直且与搭载部的表面平行的方向定义为横向的情况下，第一引线在搭载部的侧面的一个区域上，具有与半导体激光元件的侧面平行且平坦的横向基准面。在搭载部的侧面的一个区域上，形成有与横向基准面邻接的凹部。
-
公开(公告)号：CN1525611A
公开(公告)日：2004-09-01
申请号：CN200410007604.5
申请日：2004-02-26
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01S5/16
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/162 , H01S5/168 , H01S5/2206 , H01S5/2231 , H01S5/305 , H01S5/3054 , H01S5/3213 , H01S5/34326 , H01S5/3436
Abstract: 一种由以AlGaInP为基的材料制作的半导体激光器件，包括：形成在半导体衬底上面的一个第一导电类型的第一覆盖层，一个有源层和一个第二导电类型的第二覆盖层，其中在靠近激光谐振器端面的区域中的所述有源层的一部分，在光致发光中具有的峰值波长小于在激光谐振器内部区域中的所述有源层的一部分中的光致发光峰值波长，而位于靠近激光谐振器端面的区域中的第二导电类型的第二覆盖层含有As原子，以及该半导体激光器件的一种制作方法。
-
公开(公告)号：CN101621177B
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：CN200910166918.2
申请日：2009-06-17
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 大久保伸洋
IPC: H01S5/022
CPC classification number: H01S5/02244 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01S5/02268 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体激光装置。在该半导体激光装置中，第一引线具有在表面上经由子固定部件搭载半导体激光元件的搭载部以及与该搭载部连接并延伸的引线部。在将从半导体激光元件射出主光束的方向定义为前方，将相对于该前方垂直且与搭载部的表面平行的方向定义为横向的情况下，第一引线在搭载部的侧面的一个区域上，具有与半导体激光元件的侧面平行且平坦的横向基准面。在搭载部的侧面的一个区域上，形成有与横向基准面邻接的凹部。
-
公开(公告)号：CN1322643C
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200410055237.6
申请日：2004-07-22
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 大久保伸洋
IPC: H01S5/30
CPC classification number: H01S5/22 , H01S5/164 , H01S5/168 , H01S5/2205
Abstract: 在一种AlGaInP半导体激光器中，在半导体衬底上至少形成第一导电型第一包层、有源层和第二导电型第二包层。第二包层在与衬底反向相对的一侧上形成条带形的脊，在脊的两侧上设置第一导电型电流阻碍层。第一导电型电流阻碍层相对于半导体衬底的晶格失配率为-0.20%或者更大，但不超过0%。该晶格失配率在电流阻碍层内可以是均匀的。可选择地，该晶格失配率可以随着该电流阻碍层与第二导电型第二包层中除脊之外的部分的距离增加而连续或逐渐增加。
-
公开(公告)号：CN1497810A
公开(公告)日：2004-05-19
申请号：CN03158576.0
申请日：2003-09-19
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 大久保伸洋
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/162 , H01S5/164 , H01S5/168 , H01S5/2231 , H01S5/3054 , H01S5/34326
Abstract: 本发明涉及一种半导体激光器及其制造方法，可以降低在高输出工作时的驱动电流，并且确保较高的长期可靠性。该半导体激光器包括一半导体基板，一第一导电型的第一覆盖层，一活性层，一第二导电型的第二覆盖层以及一第二导电型的保护层，并且在靠近激光谐振器端面的区域中的活性层(窗口区)的荧光峰值波长小于在激光谐振器内部区域中的活性层(活性区)的荧光峰值波长。在靠近激光谐振器端面的区域中的活性层内，具有第二导电性的第一杂质原子和具有第二导电性的第二杂质原子混合存在，同时第一杂质原子的浓度高于第二杂质原子的浓度。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.023 seconds)
