公开(公告)号：CN101548392A

公开(公告)日：2009-09-30

申请号：CN200780044547.X

申请日：2007-11-19

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 伊坂隆行 ,  舩越康志 ,  小平真继

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/0216 ,  C23C16/34

CPC classification number: H01L31/02168 ,  C23C16/345 ,  C23C16/56 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种太阳能电池(10)，其中，在该太阳能电池(10)中形成的钝化膜(3)对于太阳能电池(10)中的硅基板表面(1)上的p区及n区中的任一区域均可发挥高度钝化效果。在该太阳能电池(10)中，在硅基板(1)上与受光面相反的面上形成了由氮化硅膜构成的第1钝化膜，该第1钝化膜的折射率在2.6以上。在该太阳能电池(10)中，优选在硅基板(1)和第1钝化膜之间形成含有氧化硅膜和/或氧化铝膜的第2钝化膜。并且，该太阳能电池(10)优选为下述的背结型太阳能电池——在硅基板(1)上与受光面相反的面上形成了pn结的太阳能电池。

公开(公告)号：CN103222064A

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201180055537.2

申请日：2011-10-27

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 小平真继

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/022441 ,  H01L31/02245 ,  H01L31/0682 ,  Y02E10/547

Abstract: 本发明公开了一种背面电极型太阳能电池（1、51），具有：第一导电型或者第二导电型的硅衬底（4）；第一导电型半导体区域（9、10）及第二导电型半导体区域（9、10），其设置在与硅衬底（4）的受光面相反一侧的面即背面；第一导电型用电极（2、3），其设置于第一导电型半导体区域（9、10）；第二导电型用电极（2、3），其设置于第二导电型半导体区域（9、10）；外周缘半导体区域（71、72），其在硅衬底（4）的背面设置在第一导电型半导体区域（9、10）及第二导电型半导体区域（9、10）的形成区域周围；外周缘半导体区域（71、72）不与第一导电型用电极（2、3）及第二导电型用电极（2、3）接触。

公开(公告)号：CN102859656A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201180020449.9

申请日：2011-04-21

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 小平真继

IPC: H01L21/22 ,  H01L21/225 ,  H01L21/383 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L31/1804 ,  H01L21/223 ,  H01L21/228 ,  H01L31/0682 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明的半导体装置的制造方法包括：将掩模用墨（24）涂敷于半导体衬底（10）形成掩模（31、32）的工序以及形成扩散层（12，13）的工序，还包括在掩模用墨（24）的涂敷前、涂敷中及涂敷后的至少任一时机对掩模用墨（24）进行加热的工序和对掩模用墨（24）进行光照射的工序中的任一工序。