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公开(公告)号：CN102386309A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201110243978.7
申请日：2011-08-24
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/48 , H01L33/62 , H01L25/075
CPC classification number: H01L25/167 , H01L33/486 , H01L33/62 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种可抑制因保护元件的存在而导致发光元件的亮度降低的、廉价且可靠性高的发光装置，保护元件(24)搭载于在树脂部(25)的腔体(31)内露出的第一引线端子(29)上。发光元件(22、23)搭载于在腔体(31)内露出的第二引线端子(30)的凹部(32)的底部(35)上。由此，保护元件(24)比发光元件(22、23)配置得靠上侧。
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公开(公告)号：CN101997075A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN201010246787.1
申请日：2010-08-04
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L33/486 , B29C45/0025 , B29C45/14336 , B29C2045/0036 , H01L33/60 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48465 , H01L2933/0033 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种发光装置及其制造方法。发光装置(1)包括：发光二极管芯片(2)；第一引线端子(10)，其形成有包括发光二极管芯片(2)的安装区域的底部(13)，并且连续地形成有与底部(13)相连的侧壁(14)，该侧壁(14)的内表面成为从发光二极管芯片(2)射出的光的反射面。发光装置(1)还包括：第二引线端子(20)，其与第一引线端子(10)相隔离。另外，发光装置(1)还包括：树脂部(3)，其支承第一引线端子(10)以及第二引线端子(20)，并形成有使第二引线端子(20)的一部分以及第一引线端子(10)的安装区域露出的腔体(6)。
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公开(公告)号：CN1649222A
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：CN200510006197.0
申请日：2005-01-31
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01S5/22
CPC classification number: H01S5/0425 , H01S5/0224 , H01S5/02272 , H01S5/02476 , H01S5/2214 , H01S5/2231 , H01S2301/173
Abstract: 一种半导体激光器，其具有：衬底；至少具有活性层的层积体；上述层积体上的脊带部；设于上述脊带部的侧面以及上述脊带部的横侧的上述层积体的上面的电流阻止层；覆盖上述脊带部的上面以及上述电流阻止层的镀敷金属层。该镀敷金属层的脊带部的两侧的层厚比脊带部的上方的层厚厚，厚出大致相当于脊带部的高度的量，因此，镀敷金属层的上面是大致平坦的。
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公开(公告)号：CN100364189C
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200510006197.0
申请日：2005-01-31
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01S5/0425 , H01S5/0224 , H01S5/02272 , H01S5/02476 , H01S5/2214 , H01S5/2231 , H01S2301/173
Abstract: 一种半导体激光器，其具有：衬底；至少具有活性层的层积体；上述层积体上的脊带部；设于上述脊带部的侧面以及上述脊带部的横侧的上述层积体的上面的电流阻止层；覆盖上述脊带部的上面以及上述电流阻止层的镀敷金属层。该镀敷金属层的脊带部的两侧的层厚比脊带部的上方的层厚厚，厚出大致相当于脊带部的高度的量，因此，镀敷金属层的上面是大致平坦的。
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