公开(公告)号：CN102484682A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201080037467.3

申请日：2010-07-12

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 辻野幸生 ,  中川阳介 ,  前田和宏 ,  白木一郎 ,  杉山裕昭 ,  桑原信弘

IPC: H04N5/357 ,  H01L27/146 ,  G09G3/32 ,  G09G3/36

CPC classification number: H01L27/14643 ,  G06F3/0412 ,  G06F3/042 ,  H04N5/357

Abstract: 减少由馈通引起的存储节点的电位下降，由此使存储电容器的电容变小来谋求传感器灵敏度的提高。在光传感器中，在存储节点(N2)连接着存储电容器(C2)的第1端子和输出与存储节点(N2)的电位相应的信号的MOS晶体管(M1)的栅极。对第1光电二极管(DS)的阳极，在复位期间中提供正偏置的脉冲电压，另一方面，在存储期间和读出期间中提供逆偏置电压。对第2光电二极管(DM)的阳极，在全部的动作期间中提供逆偏置电压。对存储电容器的第2端子，在复位期间和存储期间中，提供将存储节点的电位保持在不足MOS晶体管(M1)的阈值的电压，另一方面，在读出期间中，提供使存储节点(N2)的电位上冲到MOS晶体管(M1)的阈值以上的电压。