调节电路及其半导体器件

    公开(公告)号:CN1988154A

    公开(公告)日:2007-06-27

    申请号:CN200610173251.5

    申请日:2006-12-21

    CPC classification number: H01L27/0259

    Abstract: 一种包括用于向外部电路提供电流的输出级晶体管的调节电路,该调节电路具有与输出级晶体管并联所形成的静电保护晶体管。静电保护晶体管的基极例如连接到输出级晶体管的基极,或者可选地连接到接地线或连接到静电保护晶体管自身的发射极。

    调节电路及其半导体器件

    公开(公告)号:CN100552949C

    公开(公告)日:2009-10-21

    申请号:CN200610173251.5

    申请日:2006-12-21

    CPC classification number: H01L27/0259

    Abstract: 一种包括用于向外部电路提供电流的输出级晶体管的调节电路,该调节电路具有与输出级晶体管并联所形成的静电保护晶体管。静电保护晶体管的基极例如连接到输出级晶体管的基极,或者可选地连接到接地线或连接到静电保护晶体管自身的发射极。

    与电路相集成的光接收元件

    公开(公告)号:CN1109364C

    公开(公告)日:2003-05-21

    申请号:CN97119246.4

    申请日:1997-09-30

    CPC classification number: H01L27/144 H01L31/02024

    Abstract: 与电路集成的光接收元件,包括:I型导电半导体基底;在该基底上的II型导电的第一半导体层;把该层分成多个II型导电区的I型导电的第一半导体层;由分隔开的半导体区和下方基底区构成的光探测部分,由多个光探测部分构成一个分隔光电二极管;仅在I型导电的第一层附近和形成各个光探测部分的基底区中形成的II型导电的第二半导体层;在II型导电的第一层的表面区,包括分隔区形成的I型导电的第二半导体层,覆盖第二层的上方。

    与电路相集成的光接收元件

    公开(公告)号:CN1185659A

    公开(公告)日:1998-06-24

    申请号:CN97119246.4

    申请日:1997-09-30

    CPC classification number: H01L27/144 H01L31/02024

    Abstract: 与电路集成的光接收元件,包括:Ⅰ型导电半导体基底;在该基底上的Ⅱ型导电的第一半导体层;把该层分成多个Ⅱ型导电区的Ⅰ型导电的第一半导体层;由分隔开的半导体区和下方基底区构成的光探测部分,由多个光探测部分构成一个分隔光电二极管;仅在Ⅰ型导电的第一层附近和形成各个光探测部分的基底区中形成的Ⅱ型导电的第二半导体层;在Ⅱ型导电的第一层的表面区,包括分隔区形成的Ⅰ型导电的第二半导体层,覆盖第二层的上方。

    微调阻抗元件、半导体器件和微调方法

    公开(公告)号:CN100429776C

    公开(公告)日:2008-10-29

    申请号:CN200410010421.9

    申请日:2004-11-25

    Inventor: 福永直树

    CPC classification number: H01L27/0802

    Abstract: 本发明的微调电阻元件具有由形成在n型外延层的表面上的p型扩散层构成的微调电阻。第一电极与位于该微调电阻一端的部分相连接,同时第二电极的第一连接部分、第二连接部分和第三连接部分与位于另一端的部分相连接。通过利用激光微调来切断第一连接部分的一部分和第二连接部分的一部分,能够微调第一电极和第二电极之间的电阻值而不改变微调电阻和n型外延层之间的寄生电容。

    微调阻抗元件、半导体器件和微调方法

    公开(公告)号:CN1624823A

    公开(公告)日:2005-06-08

    申请号:CN200410010421.9

    申请日:2004-11-25

    Inventor: 福永直树

    CPC classification number: H01L27/0802

    Abstract: 本发明的微调电阻元件具有由形成在n型外延层的表面上的p型扩散层构成的微调电阻。第一电极与位于该微调电阻一端的部分相连接,同时第二电极的第一连接部分、第二连接部分和第三连接部分与位于另一端的部分相连接。通过利用激光微调来切断第一连接部分的一部分和第二连接部分的一部分,能够微调第一电极和第二电极之间的电阻值而不改变微调电阻和n型外延层之间的寄生电容。

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