公开(公告)号：CN1577898B

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：CN200410055617.X

申请日：2004-07-30

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 藤冈靖 ,  清水彰 ,  福田浩幸 ,  野元克彦

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/076 ,  C23C16/24 ,  C23C16/515 ,  H01L31/1824 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: 为了在大面积的基板上均匀地形成具有由结晶性硅形成的i层(94)的、用于太阳能电池的硅薄膜以提供高功率太阳能电池，在硅薄膜太阳能电池的制造方法中，具有i层(94)被夹在p层(93)和n层(95)之间的结构的硅薄膜利用高频等离子体CVD方法形成在基板上，其中所述i层(94)使用经过脉冲调制的高频功率的等离子体由结晶性硅形成，一个脉冲调制周期包括输出高频功率的接通状态和不输出的关闭状态，输出波形被调制成矩形，接通状态时间为1-100微秒，且所述关闭状态时间为5微秒以上。

公开(公告)号：CN1577898A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN200410055617.X

申请日：2004-07-30

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 藤冈靖 ,  清水彰 ,  福田浩幸 ,  野元克彦

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/076 ,  C23C16/24 ,  C23C16/515 ,  H01L31/1824 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: 为了在大面积的基板上均匀地形成具有由结晶性硅形成的i层(94)的、用于太阳能电池的硅薄膜以提供高功率太阳能电池，在硅薄膜太阳能电池的制造方法中，具有i层(94)被夹在p层(93)和n层(95)之间的结构的硅薄膜利用高频等离子体CVD方法形成在基板上，其中所述i层(94)使用经过脉冲调制的高频功率的等离子体由结晶性硅形成，一个脉冲调制周期包括输出高频功率的接通状态和不输出的关闭状态，输出波形被调制成矩形，接通状态时间为1－100微秒，且所述关闭状态时间为5微秒以上。