公开(公告)号：CN106104810A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201580013007.X

申请日：2015-03-10

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 锦博彦 ,  笹仓朗 ,  冈部达

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78696

Abstract: 半导体器件具备薄膜晶体管(100)，薄膜晶体管(100)包括衬底(1)、设置在衬底(1)上的栅极电极(3)、形成在栅极电极(3)上的栅极绝缘层(5)、形成在栅极绝缘层(5)上的岛状的氧化物半导体层(7)、以覆盖氧化物半导体层(7)的上表面(7u)和整个侧面(7e)的方式设置并且具有仅使氧化物半导体层(7)的上表面(7u)的一部分露出的单个开口部(9p)的保护层(9)、在单个开口部(9p)内与氧化物半导体层(7)分别接触的源极电极(11)和漏极电极(13)。