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公开(公告)号：CN101714746A
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200910178907.6
申请日：2009-09-28
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 菅原章义
CPC classification number: H01S5/10 , B82Y20/00 , H01S5/0655 , H01S5/1039 , H01S5/1064 , H01S5/16 , H01S5/162 , H01S5/32341 , H01S5/34326
Abstract: 本发明公开了一种半导体激光装置。该半导体激光装置中的谐振器(100)包括半导体基板(11)、形成半导体基板(11)上或上方的n型覆层(12)和p型覆层(14)、以及夹在n型覆层(12)和p型覆层(14)间的有源层(13)。在谐振器(100)的上表面形成的、在谐振器(100)轴向上延伸的脊(14A)。脊(14A)包括发射侧端部(1)、非发射侧端部(5)、使得脊(14A)的宽度以锥状方式从发射侧端部(1)朝着非发射侧端部(5)减少的锥形部分(2)、以及设置在非发射侧端部(5)的发射侧端部(1)侧的台阶部分(4)，并且使脊的宽度以台阶状方式改变。
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公开(公告)号：CN101714746B
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：CN200910178907.6
申请日：2009-09-28
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 菅原章义
CPC classification number: H01S5/10 , B82Y20/00 , H01S5/0655 , H01S5/1039 , H01S5/1064 , H01S5/16 , H01S5/162 , H01S5/32341 , H01S5/34326
Abstract: 本发明公开了一种半导体激光装置。该半导体激光装置中的谐振器(100)包括半导体基板(11)、形成半导体基板(11)上或上方的n型覆层(12)和p型覆层(14)、以及夹在n型覆层(12)和p型覆层(14)间的有源层(13)。在谐振器(100)的上表面形成的、在谐振器(100)轴向上延伸的脊(14A)。脊(14A)包括发射侧端部(1)、非发射侧端部(5)、使得脊(14A)的宽度以锥状方式从发射侧端部(1)朝着非发射侧端部(5)减少的锥形部分(2)、以及设置在非发射侧端部(5)的发射侧端部(1)侧的台阶部分(4)，并且使脊的宽度以台阶状方式改变。
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公开(公告)号：CN100391068C
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200510118762.2
申请日：2005-10-31
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01S5/22
CPC classification number: H01S5/0425 , B82Y20/00 , H01S5/2086 , H01S5/22 , H01S5/3211 , H01S5/34326
Abstract: 一种半导体激光元件的制造方法，其抑制盖层和第三包层的变形，而把中间层的突起部除去。其在第二蚀刻工序中，把面临第三包层(33)和蚀刻停止层(31)的中间层(34)的外周部(46)用抗蚀剂层(48)覆盖，至少把第三包层(33)不可避免地除去，蚀刻中间层(34)和盖层(35)。这样，把中间层(34)的突出部(45)除去，且能防止把盖层(35)不希望地被蚀刻，与层合方向大致垂直的方向上制造没有凹凸的脊部，防止动作电压的增大和外部微分量子效率的降低。
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公开(公告)号：CN1767286A
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：CN200510118762.2
申请日：2005-10-31
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01S5/22
CPC classification number: H01S5/0425 , B82Y20/00 , H01S5/2086 , H01S5/22 , H01S5/3211 , H01S5/34326
Abstract: 一种半导体激光元件的制造方法，其抑制盖层和第三包层的变形，而把中间层的突起部除去。其在第二蚀刻工序中，把面临第三包层(33)和蚀刻停止层(31)的中间层(34)的外周部(46)用抗蚀剂层(48)覆盖，至少把第三包层(33)不可避免地除去，蚀刻中间层(34)和盖层(35)。这样，把中间层(34)的突出部(45)除去，且能防止把盖层(35)不希望地被蚀刻，与层合方向大致垂直的方向上制造没有凹凸的脊部，防止动作电压的增大和外部微分量子效率的降低。
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