半导体存储装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN100461417C

    公开(公告)日:2009-02-11

    申请号:CN200510006826.X

    申请日:2005-01-28

    Abstract: 本发明提供一种半导体存储装置及其制造方法。将由可变电阻元件(Rc)的一端与双极晶体管(Qc)的发射极或集电极之一通过自匹配连接所构成的存储单元(Mc)分别在行方向和列方向排列为多个矩阵,同一列的各存储单元的双极晶体管(Qc)的发射极或集电极中的另外一个连接到在列方向上延伸的公共源极线(S1、S2),同一行的各存储单元的双极晶体管(Qc)的基极连接到在行方向上延伸的公共字线(W1、W2),同一列的各存储单元的可变电阻元件(Rc)的另外一端连接到在列方向上延伸的公共位线(B1、B2),由此构成的存储阵列配置于半导体衬底上。

    半导体存储装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN1649158A

    公开(公告)日:2005-08-03

    申请号:CN200510006826.X

    申请日:2005-01-28

    Abstract: 将由可变电阻元件(Rc)的一端与双极晶体管(Qc)的发射极或集电极之一通过自匹配连接所构成的存储单元(Mc)分别在行方向和列方向排列为多个矩阵,同一列的各存储单元的双极晶体管(Qc)的发射极或集电极中的另外一个连接到在列方向上延伸的公共源极线(S1、S2),同一行的各存储单元的双极晶体管(Qc)的基极连接到在行方向上延伸的公共字线(W1、W2),同一列的各存储单元的可变电阻元件(Rc)的另外一端连接到在列方向上延伸的公共位线(B1、B2),由此构成的存储阵列配置于半导体衬底上。

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