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公开(公告)号：CN101288182A
公开(公告)日：2008-10-15
申请号：CN200680038252.7
申请日：2006-10-05
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 在太阳能电池中，汇流条电极(13a)和多个从汇流条电极(13a)延伸的线状指电极(13b)设置在半导体基板的第一主表面上。该汇流条电极(13a)包括用于与内连线连接的第一连接部(51)，以及不与内连线连接的第一非连接部(42)。第一连接部(51)和第一非连接部(42)交替布置。还提供了使用该太阳能电池且具有内连线的太阳能电池、太阳能电池串列以及太阳能电池模块。
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公开(公告)号：CN102947948A
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN201180030664.7
申请日：2011-06-16
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/022441 , B28D5/045 , H01L31/0682 , H01L31/18 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 一种硅晶片(1)，该硅晶片(1)通过刻蚀切割硅晶锭(50)而得到的晶体硅(11)的表面而得到，且对于所述晶体硅(11)的单侧的表面仅刻蚀5μm以上且25μm以下，该硅晶片(1)的表面具有10μm以上且150μm以下宽度的小面(62)。在该硅晶片的表面具备电极(12，13)的半导体装置。此外，包括对晶体硅(11)的表面用氢氧化钠浓度为20质量%以上且35质量%以下的氢氧化钠水溶液对晶体硅(11)的单侧的表面仅刻蚀5μm以上且25μm以下的步骤的硅晶片(1)的制造方法以及半导体装置的制造方法。
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公开(公告)号：CN102947948B
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201180030664.7
申请日：2011-06-16
Applicant: 夏普株式会社
IPC: B28D5/04 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/022441 , B28D5/045 , H01L31/0682 , H01L31/18 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 一种硅晶片(1)，该硅晶片(1)通过刻蚀切割硅晶锭(50)而得到的晶体硅(11)的表面而得到，且对于所述晶体硅(11)的单侧的表面仅刻蚀5μm以上且25μm以下，该硅晶片(1)的表面具有10μm以上且150μm以下宽度的小面(62)。在该硅晶片的表面具备电极(12，13)的半导体装置。此外，包括对晶体硅(11)的表面用氢氧化钠浓度为20质量%以上且35质量%以下的氢氧化钠水溶液对晶体硅(11)的单侧的表面仅刻蚀5μm以上且25μm以下的步骤的硅晶片(1)的制造方法以及半导体装置的制造方法。
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公开(公告)号：CN101288182B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200680038252.7
申请日：2006-10-05
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 在太阳能电池中，汇流条电极(13a)和多个从汇流条电极(13a)延伸的线状指电极(13b)设置在半导体基板的第一主表面上。该汇流条电极(13a)包括用于与内连线连接的第一连接部(51)，以及不与内连线连接的第一非连接部(42)。第一连接部(51)和第一非连接部(42)交替布置。还提供了使用该太阳能电池且具有内连线的太阳能电池、太阳能电池串列以及太阳能电池模块。
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