半导体发光器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN1893134A

    公开(公告)日:2007-01-10

    申请号:CN200610100645.8

    申请日:2006-06-30

    CPC classification number: H01L33/16 H01L33/0079

    Abstract: 本发明提供了一种半导体发光器件及其制造方法,该半导体发光器件通过层叠包括AlGaInP有源层的外延层(30)和透射从有源层产生的光的第二晶片(23)而形成。外延层(30)和第二晶片(23)的晶轴彼此大致对齐,并关于所述第二晶片(23)的横侧面{100}处于-15°到+15°范围。该具有高外部发射效率的连接型半导体发光器件允许以高产量容易地在整个晶片表面上实现均匀的晶片键合,而不引起接合失效和晶片开裂。

    半导体发光器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN1893134B

    公开(公告)日:2010-09-08

    申请号:CN200610100645.8

    申请日:2006-06-30

    CPC classification number: H01L33/16 H01L33/0079

    Abstract: 本发明提供了一种半导体发光器件及其制造方法,该半导体发光器件通过层叠包括AlGaInP有源层的外延层(30)和透射从有源层产生的光的第二晶片(23)而形成。外延层(30)和第二晶片(23)的晶轴彼此大致对齐,并关于所述第二晶片(23)的横侧面{100}处于-15°到+15°范围。该具有高外部发射效率的连接型半导体发光器件允许以高产量容易地在整个晶片表面上实现均匀的晶片键合,而不引起接合失效和晶片开裂。

    半导体发光器件
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1630113A

    公开(公告)日:2005-06-22

    申请号:CN200410082163.5

    申请日:2004-12-17

    Abstract: 发光元件(2)芯片焊接到在树脂封装(3)的上表面形成的开口(10)的底部暴露的引线框架(1)的部分。将向着预定方向引导从发光元件(2)放射的光线的反射器(5)附着到树脂封装(3)的上表面。布置引线端子(4a,4b)使得其从树脂封装(3)的两个相对侧面区域突出。在多个引线端子中的预定引线端子和芯片焊接发光元件(2)的部分连接,并且被向上弯曲,且由焊锡膏(6)焊接到反射器(5)。

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