一种C3N4薄膜的制备方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109371446A

    公开(公告)日:2019-02-22

    申请号:CN201811297420.5

    申请日:2018-11-01

    CPC classification number: C25D13/02 C25B1/04 C25B11/0405 C25B11/0447 C25D13/22

    Abstract: 本发明涉及以高度分散于有机溶剂的C3N4胶体为前驱、导电材料为基底,采用电泳法将C3N4胶体颗粒沉积到导电基底及利用后续退火处理制备C3N4薄膜的方法。不同于已公开报道制备C3N4薄膜的方法,该方法原料廉价易得,薄膜平整、致密、厚度均匀可控,与基底接触良好,且制备过程快捷,易于大批量生产。该制备方法获得的C3N4薄膜,一方面可作为C3N4光电极用于光电化学分解水制氢气及光催化降解有机物等反应,另一方面可用于材料表面保护及修饰等用途。

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