-
公开(公告)号:CN109371446A
公开(公告)日:2019-02-22
申请号:CN201811297420.5
申请日:2018-11-01
Applicant: 大连海事大学
CPC classification number: C25D13/02 , C25B1/04 , C25B11/0405 , C25B11/0447 , C25D13/22
Abstract: 本发明涉及以高度分散于有机溶剂的C3N4胶体为前驱、导电材料为基底,采用电泳法将C3N4胶体颗粒沉积到导电基底及利用后续退火处理制备C3N4薄膜的方法。不同于已公开报道制备C3N4薄膜的方法,该方法原料廉价易得,薄膜平整、致密、厚度均匀可控,与基底接触良好,且制备过程快捷,易于大批量生产。该制备方法获得的C3N4薄膜,一方面可作为C3N4光电极用于光电化学分解水制氢气及光催化降解有机物等反应,另一方面可用于材料表面保护及修饰等用途。