公开(公告)号：CN114917773B

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202210494826.2

申请日：2022-05-07

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 王同华 ,  李琳 ,  刘晓玮 ,  项楠 ,  齐洋 ,  王子昊

IPC: B01D71/38 ,  B01D69/10 ,  B01D67/00 ,  B01D69/12 ,  B01D71/02

Abstract: 本发明涉及一种原位制备石墨炔分离膜的方法，属于膜分离技术领域。一种原位制备石墨炔分离膜的方法，在平板金属基底的一个面B面制备规则分布的不透凹槽，并在该面涂覆保护层；通过液相合成法在金属基底的另一个面A面上制备石墨炔膜，再在该石墨炔膜表面涂覆多孔聚合物作为支撑层；去除B面上的保护层，并使原不透凹槽形成通孔，即得到石墨炔分离膜。该方法制备的石墨炔分离膜，能够有效保护超薄石墨炔薄膜，避免了二维薄膜需要转移的难题，有效避免石墨炔分离膜转移过程中造成的缺陷，进一步提升石墨炔膜的分离性能，同时为其他超薄材料分离膜的原位制备奠定基础，工艺条件相对简单、便于操作，适合推广应用。

公开(公告)号：CN114917773A

公开(公告)日：2022-08-19

申请号：CN202210494826.2

申请日：2022-05-07

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 王同华 ,  李琳 ,  刘晓玮 ,  项楠 ,  齐洋 ,  王子昊

IPC: B01D71/38 ,  B01D69/10 ,  B01D67/00 ,  B01D69/12 ,  B01D71/02

Abstract: 本发明涉及一种原位制备石墨炔分离膜的方法，属于膜分离技术领域。一种原位制备石墨炔分离膜的方法，在平板金属基底的一个面B面制备规则分布的不透凹槽，并在该面涂覆保护层；通过液相合成法在金属基底的另一个面A面上制备石墨炔膜，再在该石墨炔膜表面涂覆多孔聚合物作为支撑层；去除B面上的保护层，并使原不透凹槽形成通孔，即得到石墨炔分离膜。该方法制备的石墨炔分离膜，能够有效保护超薄石墨炔薄膜，避免了二维薄膜需要转移的难题，有效避免石墨炔分离膜转移过程中造成的缺陷，进一步提升石墨炔膜的分离性能，同时为其他超薄材料分离膜的原位制备奠定基础，工艺条件相对简单、便于操作，适合推广应用。