一种基于聚F8BT晶体的发光场效应管结构及制备方法

    公开(公告)号:CN111192969A

    公开(公告)日:2020-05-22

    申请号:CN202010019461.9

    申请日:2020-01-08

    Abstract: 本发明属于新型电子元器件制备领域,涉及一种基于聚F8BT晶体的发光场效应管结构及制备方法。本发明将受控蒸发自组装方法与双溶剂方案相结合获得晶体质量很高的晶体阵列,膜的覆盖度也大幅度的提高,有机膜晶体宽度变宽。通过本发明方法获得的高度有序晶体阵列作为发光层相比基于普通薄膜作为发光层的有机发光场效应管具有更低的开启电压,更高的外量子效率以及更好的发光性能。本发明用双溶剂蒸发法制得的发光层相比旋涂制备的薄膜可以实现载流子的快速定向传输。

    一种应用电活性聚合物的盲文显示屏及其显示方法

    公开(公告)号:CN110930829A

    公开(公告)日:2020-03-27

    申请号:CN201911290076.1

    申请日:2019-12-16

    Abstract: 本发明属于盲文显示领域,具体涉及一种应用电活性聚合物的盲文显示屏及其显示方法。在盲文显示屏运行时,盲文文本信号传输到编码模块,编码模块对盲文文字信号进行编码处理后以电信号形式传输给主控制模块,主控制模块根据得到的电信号发出控制指令进而控制各个MOS管的截止与导通;MOS管导通后,电源正负极与盲文孔模块串联导通,盲文孔模块中的电活性聚合物在直流电压的作用下体积膨胀变大,从而在盲文显示屏对应位置形成一个凸起点,通过控制不同的盲文孔模块所对应MOS管的截止与导通控制不同的凸起点位置,进而组合成不同的盲文文字。

    一种基于聚F8BT晶体的发光场效应管结构及制备方法

    公开(公告)号:CN111192969B

    公开(公告)日:2021-01-05

    申请号:CN202010019461.9

    申请日:2020-01-08

    Abstract: 本发明属于新型电子元器件制备领域,涉及一种基于聚F8BT晶体的发光场效应管结构及制备方法。本发明将受控蒸发自组装方法与双溶剂方案相结合获得晶体质量很高的晶体阵列,膜的覆盖度也大幅度的提高,有机膜晶体宽度变宽。通过本发明方法获得的高度有序晶体阵列作为发光层相比基于普通薄膜作为发光层的有机发光场效应管具有更低的开启电压,更高的外量子效率以及更好的发光性能。本发明用双溶剂蒸发法制得的发光层相比旋涂制备的薄膜可以实现载流子的快速定向传输。

    一种钙钛矿2D/3D LED结构及制备方法

    公开(公告)号:CN111192970A

    公开(公告)日:2020-05-22

    申请号:CN202010022859.8

    申请日:2020-01-09

    Abstract: 本发明属于新型电子元器件制备领域,特别涉及一种钙钛矿2D/3D LED结构及制备方法。本发明显著改善了LED在高湿度下未密封的薄膜和器件的水分稳定性;2D覆盖层在2D-3D钙钛矿薄膜中引起更大的费米能级分裂,从而导致更高的开启电压:在2D-3D钙钛矿设备中,空穴提取也得到了促进,减少了能带排列和在亚能隙状态的非辐射复合。本发明的结构简单紧凑,无需额外添加钝化剂,兼顾二维与三维材料的优点,能提升钙钛矿LED的性能并同时获得长期稳定性。

    一种钙钛矿2D/3D LED结构及制备方法

    公开(公告)号:CN111192970B

    公开(公告)日:2021-01-05

    申请号:CN202010022859.8

    申请日:2020-01-09

    Abstract: 本发明属于新型电子元器件制备领域,特别涉及一种钙钛矿2D/3D LED结构及制备方法。本发明显著改善了LED在高湿度下未密封的薄膜和器件的水分稳定性;2D覆盖层在2D‑3D钙钛矿薄膜中引起更大的费米能级分裂,从而导致更高的开启电压:在2D‑3D钙钛矿设备中,空穴提取也得到了促进,减少了能带排列和在亚能隙状态的非辐射复合。本发明的结构简单紧凑,无需额外添加钝化剂,兼顾二维与三维材料的优点,能提升钙钛矿LED的性能并同时获得长期稳定性。

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