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公开(公告)号：CN113271421A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202110522512.4
申请日：2021-05-13
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明涉及光电阵列读取技术领域，具体地，涉及一种光电阵列探测器读出电路，包括光电阵列、信号处理电路PCB板以及FPGA开发板；光电阵列通过板对板连接器或软排线与信号处理电路PCB板连接，信号处理电路PCB板通过板对板连接器或软排线与FPGA开发板连接；信号处理电路PCB板上集成有电源模块、DAC模块、选通模块、信号放大模块、滤波模块和ADC模块；本发明可以直接对光电阵列所产生的光电流进行高增益、低噪声的I‑V转换并完成数据采集。
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公开(公告)号：CN113241531B
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202110465365.1
申请日：2021-04-28
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明涉及一种基于二氧化钒的可调谐阵列集成宽带太赫兹吸波谐振器，自下而上为底部的金属反射层、中间介质层、二氧化钒相变层、石墨烯可调电导率层以及顶层导电电极和成周期阵列排布的金属谐振腔。金属谐振腔通过设计特定的几何参数和结构，使得整个超材料吸波结构在特定频率的地方发生电磁谐振，利用二氧化钒的热致相变性质，在半导体相态和金属相态时光学、电学参数有巨大的变化，设计了较高调制深度的吸波结构，并基于石墨烯的可调电导率性质，通过外加电压改变其费米能级，改变吸波结构的介电参数，使得吸收的波长范围发生改变。结合这两种材料的调谐特性，从而实现通过热/电主动调谐宽带吸收器，而且设计的结构与工艺兼容，易于实现。
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公开(公告)号：CN113218306B
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202110465565.7
申请日：2021-04-28
Applicant: 大连理工大学
IPC: G01B11/00
Abstract: 本发明属于光斑位置快速精准探测技术领域，涉及一种基于FPGA的光斑位置探测系统与方法。本发明采用FPGA作为主控芯片，利用硬件描述语言对场景进行建模，通过FPGA开发工具将硬件模型映射到开发板上以完成采集信号、模数转换、结果判断、电机控制等多方面时序要求，配合图像采集卡、上位机和高精度三轴步进电机实现位置探测，在满足市场要求的前提下，具有检测精度高、处理速度快、抗干扰能力强、运行稳定等优点，降低了生产成本，改善了工作环境，缩短了制作周期。
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公开(公告)号：CN110846623A
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：CN201911272268.X
申请日：2019-12-12
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明属于金属镀膜领域，具体来说，涉及一种用于提高金属蒸发镀膜均匀性的装置及方法。装置的组成包括电磁搅拌线圈、固定柱、内筒、基板固定架、基板、蒸发源、蒸发材料、钟罩；蒸发源和蒸发材料置于钟罩中线处，基板置于基板固定架上并在蒸发源正上方，内筒同心放置于蒸发源外侧，电磁搅拌线圈分布在内壁外侧四周。本发明通过电磁搅拌装置对金属粒子进行搅拌，从而使金属粒子在水平面内分布均匀，从而达到使金属蒸发镀膜均匀的效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113271421B
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202110522512.4
申请日：2021-05-13
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明涉及光电阵列读取技术领域，具体地，涉及一种光电阵列探测器读出电路，包括光电阵列、信号处理电路PCB板以及FPGA开发板；光电阵列通过板对板连接器或软排线与信号处理电路PCB板连接，信号处理电路PCB板通过板对板连接器或软排线与FPGA开发板连接；信号处理电路PCB板上集成有电源模块、DAC模块、选通模块、信号放大模块、滤波模块和ADC模块；本发明可以直接对光电阵列所产生的光电流进行高增益、低噪声的I‑V转换并完成数据采集。
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公开(公告)号：CN113218306A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202110465565.7
申请日：2021-04-28
Applicant: 大连理工大学
IPC: G01B11/00
Abstract: 本发明属于光斑位置快速精准探测技术领域，涉及一种基于FPGA的光斑位置探测系统与方法。本发明采用FPGA作为主控芯片，利用硬件描述语言对场景进行建模，通过FPGA开发工具将硬件模型映射到开发板上以完成采集信号、模数转换、结果判断、电机控制等多方面时序要求，配合图像采集卡、上位机和高精度三轴步进电机实现位置探测，在满足市场要求的前提下，具有检测精度高、处理速度快、抗干扰能力强、运行稳定等优点，降低了生产成本，改善了工作环境，缩短了制作周期。
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公开(公告)号：CN113241531A
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202110465365.1
申请日：2021-04-28
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明涉及一种基于二氧化钒的可调谐阵列集成宽带太赫兹吸波谐振器，自下而上为底部的金属反射层、中间介质层、二氧化钒相变层、石墨烯可调电导率层以及顶层导电电极和成周期阵列排布的金属谐振腔。金属谐振腔通过设计特定的几何参数和结构，使得整个超材料吸波结构在特定频率的地方发生电磁谐振，利用二氧化钒的热致相变性质，在半导体相态和金属相态时光学、电学参数有巨大的变化，设计了较高调制深度的吸波结构，并基于石墨烯的可调电导率性质，通过外加电压改变其费米能级，改变吸波结构的介电参数，使得吸收的波长范围发生改变。结合这两种材料的调谐特性，从而实现通过热/电主动调谐宽带吸收器，而且设计的结构与工艺兼容，易于实现。
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公开(公告)号：CN113100710A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110357738.3
申请日：2021-04-01
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明属于传感器领域，具体来说，涉及一种可植入、可降解的位移传感器及其制备方法。本发明使用蛋白掺杂壳聚糖薄膜作为基底和封装，该薄膜具有优良的柔性、透光率和拉伸性能，可在体内和各种组织紧密贴合。该传感器设计简单，便于制造，使用叉指型的金属电极，利用人体与电极之间产生的感应电容来检测位移。本发明使用材料均为对生物友好的可降解材料，所制作的传感器在使用完成之后可在体内自行降解，无需二次手术取出，避免造成二次伤害。
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