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发明公开
基材处理方法审中-公开

公开(公告)号：CN119191726A

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202310708700.5

申请日：2023-06-14

Applicant: 大金工业株式会社

Inventor： 汤紫珺 , 黄盛辉 , 福田矩章 , 前平健 , 吉田知弘

IPC: C03C23/00 , C03C17/42

Abstract: 本发明的目的在于提高一种具有防反射膜的基材的新型表面处理方法。本发明的具有防反射膜的基材的处理方法包括：实施使防反射膜的表面的至少一部分的区域平滑的处理的工序；在上述使防反射膜的表面的至少一部分的区域平滑的处理后的防反射膜的表面形成含有SiO2的层的工序；和在上述含有SiO2的层的表面的至少一部分的区域适用表面处理剂，形成表面处理层的工序。

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