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公开(公告)号：CN115494676B
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202211043247.2
申请日：2022-08-29
Applicant: 太原理工大学
Abstract: 本发明涉及拓扑光子学及光通信系统领域，公开了一种实现全光逻辑或门的硅基能谷光子晶体结构，包括硅基底，所述硅基底上通过三条分界线分成了四个区域；四个区域内第一圆形空气孔和第四空气孔交错分布，并在分界线处设置缺陷分别形成了INA、INB输入波导，OUT1和OUT2输出波导；本发明可以用于实现全光逻辑或门功能，实现了双输入端输入不同波长的光实现逻辑或功能，且当OUT1输出波导的输出为逻辑1时的透射率高，均在0.8以上，逻辑对比度高。
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公开(公告)号：CN115268120A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202211057316.5
申请日：2022-08-30
Applicant: 太原理工大学
Abstract: 本发明涉及拓扑光子晶体及集成光子芯片领域，公开了一种基于拓扑能谷光子晶体的热可调环形谐振滤波器，可实现光通讯波段的热可调滤波。其包括硅基底；所述硅基底被直线分界线和环形分界线分成第一区域，第二区域和第三区域；所述直线分界线位于光入射方向所在直线上；所述第一区域和第三区域靠近所述直线分界线的一侧分别排布有一排第一圆形空气孔形成直波导，所述第二区域和第三区域靠近所述环形分界线的一侧分别排布有一排第一圆形空气孔形成环形波导，本发明器件尺寸小，结构简单，适合于光子学芯片集成。
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公开(公告)号：CN110231680A
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201910413899.2
申请日：2019-05-17
Applicant: 太原理工大学
Abstract: 本发明属于光学器件领域，公开了一种可实现光波单向传输的光子晶体异质结构，包括二氧化硅基底，包括二氧化硅基底，所述二氧化硅基底上生长有薄硅层；所述薄硅层上以异质结界面为界，左侧刻蚀有周期性排列的多个介质硅圆柱，形成第一光子晶体结构PC1，右侧刻蚀有周期性排列的多个方形空气孔，形成第二光子晶体结构PC2；所述介质硅圆柱的高度和方形空气孔的深度等于所述薄硅层的厚度；光波从第一光子晶体结构PC1一侧入射，并与所述异质结界面与的夹角为45°。本发明易于制备、便于集成、单向高透射率，实现了高正向透射的单向传输特性，可以广泛应用于量子光学领域。
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公开(公告)号：CN110109199A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201910436966.2
申请日：2019-05-24
Applicant: 太原理工大学
IPC: G02B1/00
Abstract: 本发明涉及光量子通信及量子计算领域，公开了一种实现任意线偏振光单向传输的光子晶体异质结构，包括分别设置在异质结界面两侧的二氧化硅基底和硅基底，二氧化硅基底和硅基底在同一平面上；所述二氧化硅基底内周期性填充有多个硅圆柱，形成第一光子晶体，所述硅圆柱的轴向与二氧化硅基底平面垂直；所述硅基底内周期性填充有多个二氧化硅圆柱，形成第二光子晶体，二氧化硅圆柱的轴向与硅基底平面垂直；光线从第一光子晶体一侧入射，入射方向与所述异质结界面呈45°夹角。本发明可以用于实现任意线偏振光的单向传输，透射率达到0.6以上，透射对比度0.9以上。
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公开(公告)号：CN115494676A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202211043247.2
申请日：2022-08-29
Applicant: 太原理工大学
Abstract: 本发明涉及拓扑光子学及光通信系统领域，公开了一种实现全光逻辑或门的硅基能谷光子晶体结构，包括硅基底，所述硅基底上通过三条分界线分成了四个区域；四个区域内第一圆形空气孔和第四空气孔交错分布，并在分界线处设置缺陷分别形成了INA、INB输入波导，OUT1和OUT2输出波导；本发明可以用于实现全光逻辑或门功能，实现了双输入端输入不同波长的光实现逻辑或功能，且当OUT1输出波导的输出为逻辑1时的透射率高，均在0.8以上，逻辑对比度高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110109199B
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN201910436966.2
申请日：2019-05-24
Applicant: 太原理工大学
IPC: G02B1/00
Abstract: 本发明涉及光量子通信及量子计算领域，公开了一种实现任意线偏振光单向传输的光子晶体异质结构，包括分别设置在异质结界面两侧的二氧化硅基底和硅基底，二氧化硅基底和硅基底在同一平面上；所述二氧化硅基底内周期性填充有多个硅圆柱，形成第一光子晶体，所述硅圆柱的轴向与二氧化硅基底平面垂直；所述硅基底内周期性填充有多个二氧化硅圆柱，形成第二光子晶体，二氧化硅圆柱的轴向与硅基底平面垂直；光线从第一光子晶体一侧入射，入射方向与所述异质结界面呈45°夹角。本发明可以用于实现任意线偏振光的单向传输，透射率达到0.6以上，透射对比度0.9以上。
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公开(公告)号：CN110133800B
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201910436968.1
申请日：2019-05-24
Applicant: 太原理工大学
Abstract: 本发明属于微纳光电器件研究技术领域，提出了一种可实现宽频带单向高透射的波导型光子晶体异质结构，包括分别设置在异质结界面两侧的二氧化硅基底和锗基底，二氧化硅基底和锗基底在同一平面上；所述二氧化硅基底内周期性填充有多个锗圆柱，形成第一光子晶体，所述锗圆柱的轴向与二氧化硅基底平面垂直；所述锗基底内周期性填充有多个二氧化硅圆柱，形成第二光子晶体，二氧化硅圆柱的轴向与锗基底平面垂直；光线从第一光子晶体一侧入射，入射方向与所述异质结界面呈60°夹角。本发明在光通信中心波长1550nm处，TE偏振态下正向透射率为0.90，透射对比度为0.98。在1450nm~1650nm范围内，TE偏振态下正向透射率达0.78以上和透射对比度达0.86以上。
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公开(公告)号：CN110231680B
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201910413899.2
申请日：2019-05-17
Applicant: 太原理工大学
Abstract: 本发明属于光学器件领域，公开了一种可实现光波单向传输的光子晶体异质结构，包括二氧化硅基底，包括二氧化硅基底，所述二氧化硅基底上生长有薄硅层；所述薄硅层上以异质结界面为界，左侧刻蚀有周期性排列的多个介质硅圆柱，形成第一光子晶体结构PC1，右侧刻蚀有周期性排列的多个方形空气孔，形成第二光子晶体结构PC2；所述介质硅圆柱的高度和方形空气孔的深度等于所述薄硅层的厚度；光波从第一光子晶体结构PC1一侧入射，并与所述异质结界面与的夹角为45°。本发明易于制备、便于集成、单向高透射率，实现了高正向透射的单向传输特性，可以广泛应用于量子光学领域。
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公开(公告)号：CN110231679B
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201910410806.0
申请日：2019-05-17
Applicant: 太原理工大学
Abstract: 本发明属于光学器件领域，公开了一种可实现光波单向传输的光子晶体异质结构，包括方形二氧化硅基底，所述二氧化硅基底上生长有薄硅层；所述薄硅层上以异质结界面为界，所述二氧化硅基底上以位于对角异质结界面为界，左侧刻蚀有周期性排列的多个介质硅圆柱，形成第一光子晶体结构PC1，右侧均匀刻蚀有周期性排列的多个椭圆空气孔，形成第二光子晶体结构PC2；所述异质结界面2与光波入射方向的夹角为45°。本发明易于制备、便于集成、单向高透射率，实现了高正向透射的单向传输特性，可以广泛应用于量子光学领域。
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公开(公告)号：CN110133800A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910436968.1
申请日：2019-05-24
Applicant: 太原理工大学
Abstract: 本发明属于微纳光电器件研究技术领域，提出了一种可实现宽频带单向高透射的波导型光子晶体异质结构，包括分别设置在异质结界面两侧的二氧化硅基底和锗基底，二氧化硅基底和锗基底在同一平面上；所述二氧化硅基底内周期性填充有多个锗圆柱，形成第一光子晶体，所述锗圆柱的轴向与二氧化硅基底平面垂直；所述锗基底内周期性填充有多个二氧化硅圆柱，形成第二光子晶体，二氧化硅圆柱的轴向与锗基底平面垂直；光线从第一光子晶体一侧入射，入射方向与所述异质结界面呈60°夹角。本发明在光通信中心波长1550nm处，TE偏振态下正向透射率为0.90，透射对比度为0.98。在1450nm~1650nm范围内，TE偏振态下正向透射率达0.78以上和透射对比度达0.86以上。
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