量子点及其制造方法与应用
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111349440A

    公开(公告)日:2020-06-30

    申请号:CN201911098761.4

    申请日:2019-11-12

    Inventor: 陈韦达 林耕竹

    Abstract: 本发明公开一种量子点及其制造方法,与应用量子点的发光材料、发光元件及显示装置。量子点包含核体及壳层。核体为选自由XII-XV族化合物半导体纳米晶体、XII-XVI族化合物半导体纳米晶体、XIII-XV族化合物半导体纳米晶体与XIII-XVI族化合物半导体纳米晶体所组成的族群中的至少一种,且核体包含镉元素及硒元素。壳层包含锌元素及硫元素,并包覆所述核体。基于所述量子点中镉元素、硒元素、锌元素及硫元素的总含量,锌元素的含量范围为51at%~64at%,硫元素的含量范围为32at%~38at%。本发明可以提升量子点的量子效率。

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