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公开(公告)号：CN111061069A
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN202010004894.7
申请日：2020-01-03
Applicant: 宁波大学
Abstract: 本发明公开了基于硅和相变材料的槽型复合波导的电光调制器，特点是由下到上包括依次相叠的硅衬底、二氧化硅层和硅薄膜基座，硅薄膜基座上沿水平方向设置有依次相接的输入波导、混合波导和输出波导，硅薄膜基座包括两个对称设置的未掺杂硅薄膜区、位于两个未掺杂硅薄膜区之间的两个对称设置的重度掺杂硅薄膜区和位于两个重度掺杂硅薄膜区之间的轻度掺杂硅薄膜区，输入波导和输出波导位未掺杂硅薄膜区的顶面中央，混合波导位于轻度掺杂硅薄膜区的顶面中央，混合波导由沿水平方向设置的相变材料GST和对称设置在相变材料GST两侧面的硅波导构成，重度掺杂硅薄膜的顶面设置有金属触点，优点是结构紧凑、驱动电压小、消光比高且功耗低。
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公开(公告)号：CN111061069B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202010004894.7
申请日：2020-01-03
Applicant: 宁波大学
Abstract: 本发明公开了基于硅和相变材料的槽型复合波导的电光调制器，特点是由下到上包括依次相叠的硅衬底、二氧化硅层和硅薄膜基座，硅薄膜基座上沿水平方向设置有依次相接的输入波导、混合波导和输出波导，硅薄膜基座包括两个对称设置的未掺杂硅薄膜区、位于两个未掺杂硅薄膜区之间的两个对称设置的重度掺杂硅薄膜区和位于两个重度掺杂硅薄膜区之间的轻度掺杂硅薄膜区，输入波导和输出波导位未掺杂硅薄膜区的顶面中央，混合波导位于轻度掺杂硅薄膜区的顶面中央，混合波导由沿水平方向设置的相变材料GST和对称设置在相变材料GST两侧面的硅波导构成，重度掺杂硅薄膜的顶面设置有金属触点，优点是结构紧凑、驱动电压小、消光比高且功耗低。
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