公开(公告)号：CN106348246A

公开(公告)日：2017-01-25

申请号：CN201610995840.5

申请日：2016-11-11

Applicant: 宁波大学

Inventor： 张巍 ,  周杰 ,  韩金涛 ,  沈祥 ,  赵阳 ,  张森

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00531

Abstract: 一种改善波导侧壁的ICP刻蚀方法，其特征在于：包括以下步骤：1)在Si/SiO2基片上镀上一层GeSbSe膜；2)将清洗后的基片上涂覆光刻胶并且制备出光刻胶掩膜；3)将带有光刻胶掩膜的基片在ICP刻蚀机内进行刻蚀，刻蚀时同时通入四氟化碳气体和三氟甲烷气体；该四氟化碳气体和三氟甲烷气体的气体流量分别为5sccm-15sccm以及15sccm-30sccm；4)刻蚀完成后去除残胶。本发明的优点在于利用两种气体的合理配比和通入量，能够实现对刻蚀的波导侧壁的形貌的改善，并且降低波导的传输损耗。

公开(公告)号：CN106348246B

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201610995840.5

申请日：2016-11-11

Applicant: 宁波大学

Inventor： 张巍 ,  周杰 ,  韩金涛 ,  沈祥 ,  赵阳 ,  张森

IPC: B81C1/00

Abstract: 一种改善波导侧壁的ICP刻蚀方法，其特征在于：包括以下步骤：1)在Si/SiO2基片上镀上一层GeSbSe膜；2)将清洗后的基片上涂覆光刻胶并且制备出光刻胶掩膜；3)将带有光刻胶掩膜的基片在ICP刻蚀机内进行刻蚀，刻蚀时同时通入四氟化碳气体和三氟甲烷气体；该四氟化碳气体和三氟甲烷气体的气体流量分别为5sccm‑15sccm以及15sccm‑30sccm；4)刻蚀完成后去除残胶。本发明的优点在于利用两种气体的合理配比和通入量，能够实现对刻蚀的波导侧壁的形貌的改善，并且降低波导的传输损耗。