公开(公告)号：CN111032570B

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN201880054673.1

申请日：2018-08-13

Applicant: 宇部爱科喜模株式会社

Inventor： 三好英范 ,  后藤健太

IPC: C01B33/18 ,  G02F1/1339

Abstract: 本发明的课题在于提供一种能够获得更高的耐电压性能的黑色粉体及其制造方法。本发明所揭示的黑色粉体是由含碳的二氧化硅粒子所构成。二氧化硅粒子具有单层构造。二氧化硅粒子的表面所包含的碳的含量为1质量％以下。二氧化硅粒子的表面所包含的碳的含量是通过X射线光电子分光法测定。

公开(公告)号：CN118434685A

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202380015369.7

申请日：2023-03-03

Applicant: 宇部爱科喜模株式会社

Inventor： 中野达也 ,  三好英范 ,  小池匡

IPC: C01B33/18 ,  B01J13/04 ,  B01J13/20

Abstract: 本发明提供能够补充树脂的机械特性及电特性、且能够赋予一定程度以上的吸水性能的中空无机粒子。本发明提供以下的中空无机粒子，其为在粒子内部具有一个空间的球状中空粒子，使用氮气并利用气体吸附法而测定的比表面积为50m2/g以下，吸水率为0.2％～20％。本技术的中空无机粒子可以通过进行以下工序来制造：使用硅化合物来被覆作为核的粒子的被覆工序、将上升作为核的粒子去除的核粒子去除工序、以及将上述核粒子去除工序后的中空无机粒子在碱性溶液中进行加热的碱加热工序。

公开(公告)号：CN116194406A

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN202180060451.2

申请日：2021-05-11

Applicant: 宇部爱科喜模株式会社

Inventor： 三好英范 ,  中野达也

IPC: C01B33/18

Abstract: 提供尽管孔隙率高、强度也优异的中空无机颗粒。提供一种中空无机颗粒，其中，外壳的厚度最薄的部分/外壳的厚度最厚的部分为0.80以上。本技术的中空无机颗粒可以通过下述制造方法制造，该方法具有：覆盖工序，使用有机硅系化合物覆盖由有机高分子形成的核颗粒；和核颗粒去除工序，将前述核颗粒去除，在前述覆盖工序中，进行：分散剂添加工序，向核颗粒分散液添加分散剂；和表面活性剂添加工序，经过该分散剂添加工序后，添加阳离子性表面活性剂。