-
公开(公告)号：CN107612510B
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN201710777772.X
申请日：2017-09-01
Applicant: 安徽华东光电技术研究所
Abstract: 本发明公开了Ku波段40瓦功率放大器前级放大模块的制作工艺，包括：步骤1，清洗放大器前级放大模块腔体、盖板和电路板；步骤2，对盖板和放大器前级放大模块腔体进行覆锡；步骤3，将元器件烧结电路板上；步骤4，将电路板和绝缘子烧结到放大器前级放大模块腔体上；步骤5，对烧结完成后的组件进行调试和测试。该制作工艺克服现有技术中的Ku波段40瓦功率放大器前级放大模块的制作工艺不够科学、简便，经常出现性能指标完全达不到整机要求，而且生产效率和合格率低，生产成本高的问题。
-
公开(公告)号：CN110290692A
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201910565356.2
申请日：2019-06-27
Applicant: 安徽华东光电技术研究所有限公司
Abstract: 本发明提供了一种X波段10瓦功率放大模块的制作工艺，包括以下步骤：步骤1、将射频电路板烧结到腔体内；步骤2、功率放大芯片共晶，并将共晶后的功率放大芯片烧结到腔体内；步骤3、将阻容器件胶结到射频电路板上；步骤4、金丝键合；步骤5、将测试好的组件封盖。本发明设计合理，借助微电子组封装工艺技术，进行X波段10瓦功率放大模块的制作，制作出来的X波段10瓦功率放大模块经过环境试验完全达到技术指标要求，同时具有重量轻、指标优异、功耗小、增益大、体积小、可靠性高的特点，工艺流程简便、科学，提高了产品的合格率以及车间的生产效率，适合大批量生产。
-
公开(公告)号：CN109995397A
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201811554079.7
申请日：2018-12-19
Applicant: 安徽华东光电技术研究所有限公司
Abstract: 本发明公开了64路Ka波段阵列开关，包括：发射系统和接收系统；发射系统至少包括：一个第一一分四开关组件、四个第一一分十六开关组件和四个第一波导喇叭天线；信号输入至发射系统中，第一一分四开关组件将接收到的信号分成4路，并且分别输入至四个第一一分十六开关组件中，每个第一一分十六开关组件将每一路再分成16路，且四个第一一分十六开关组件上分别连接有一个第一波导喇叭天线，从而将接收的信号发射出去；接收系统至少包括：一个第二一分四开关组件、四个第二一分十六开关组件和四个第二波导喇叭天线；该64路Ka波段阵列开关克服了现有技术中的阵列开关频率范围窄，开关切换速度慢，相邻通道最小隔离度较小，驻波比大的问题。
-
公开(公告)号：CN109743029A
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201811557764.5
申请日：2018-12-19
Applicant: 安徽华东光电技术研究所有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于氮化镓功率放大器功率增益非线性的预失真电路，包括：砷化镓驱动功率放大器、微带定向耦合器、射频模拟衰减器、氮化镓高功率放大器、隔离滤波器、功率检波温补电路、射频功率检波电路、差分运算放大器和射随器；砷化镓驱动功率放大器、微带定向耦合器、射频模拟衰减器、氮化镓高功率放大器和隔离滤波器依次相连，构成射频微波发射链路；微带定向耦合器还与射频功率检波电路、差分运算放大器以及射随器，且射随器与射频模拟衰减器相连，从而构成氮化镓功率放大器功率增益校正链路。该预失真电路克服现有技术中的氮化镓功率放大器具有功率增益非线性特性，很难满足客户要求的功率增益线性度要求的问题。
-
公开(公告)号：CN109688725A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201811501905.1
申请日：2018-12-10
Applicant: 安徽华东光电技术研究所有限公司
IPC: H05K3/34
CPC classification number: H05K3/3457
Abstract: 本发明公开了一种K1波段频率源模块的制作方法，该K1波段频率源模块的制作方法包括：步骤1，将K1波段频率源模块的元器件焊接在电路板对应的位置上；步骤2，将焊接过后的电路板和绝缘子分别焊接在腔体的对应位置上；步骤3，将绝缘子和焊接过后的电路板对应的搭接处焊接起来；步骤4，将上盖板和下盖板封盖在腔体上以进行密封。该K1波段频率源模块的制作方法解决现有制作工艺缺点，不仅提高生产效率，使产品批量化生产，而且保证了绝缘子烧结的美观度。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109570867A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811501122.3
申请日：2018-12-10
Applicant: 安徽华东光电技术研究所有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于提高大面积基板焊接焊透率的焊接工装，该焊接工装包括：底座(1)、固定机构、连动机构和压头(7)；其中，所述固定机构设置于所述底座(1)的上方，且所述连动机构安装于所述固定机构上，所述压头(7)的一端可拆卸地连接于所述连动机构，另一端朝向所述底座(1)，并与所述底座(1)之间形成一个能够容纳待焊接件的空间。该用于提高大面积基板焊接焊透率的焊接工装克服了现有技术中对于基板的焊接容易出现空洞的情况，实现了焊接层空洞的避免。
-
公开(公告)号：CN109347450A
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201811069325.X
申请日：2018-09-13
Applicant: 安徽华东光电技术研究所有限公司
Abstract: 本发明适用于功率放大器制备技术领域，提供了一种亚太赫兹波段20瓦脉冲功率放大器的加工方法，包括如下步骤：将微波电路板烧结到主腔体的底部；将功率放大芯片、芯片电容与铜片载体进行共晶，将获得的共晶功率放大组件片烧结到微波电路板的对应位置；在微波电路板上胶结电阻及电容；将共晶功率放组件与胶结有电阻及电容的微波电路板间采用金带键合；将盖板固定到主腔体的顶部。借助微电子组封装工艺技术，实现基于微波单片集成电路放大器芯片设计的亚太赫兹波段20瓦脉冲功率放大器的加工方法，获得的亚太赫兹波段20瓦脉冲功率放大器具有散热好、稳定性高、安装灵活、体积小、可靠性高且适用于批量生产。
-
公开(公告)号：CN108768304A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810613494.9
申请日：2018-06-14
Applicant: 安徽华东光电技术研究所有限公司
Abstract: 本发明揭示了一种S波段50瓦功率放大器的制作工艺，包括以下步骤：步骤1、将放大器芯片共晶在钼铜载体上；步骤2、将元器件烧结到电路板上；步骤3、将烧结好元器件的电路板、共晶后的组件和绝缘子烧结到腔体上；步骤4、金丝键合；步骤5、对装配完成的组件进行调试、测试、封盖和打标,经过此工艺生产的S波段50瓦脉冲功率放大器经过测试、环境实验以及整机现场调试，各项技术性能指标完全达到整机要求。生产此放大器的工艺流程科学、简便，生产的产品合格率较之前有较大的提高，降低了生产成本、提高了生产效率值得推广。
-
公开(公告)号：CN108092632A
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201711352984.X
申请日：2017-12-15
Applicant: 安徽华东光电技术研究所
Abstract: 本发明适用于微波模块制作工艺技术领域，提供了一种X波段3瓦功率放大器的制作工艺，该工艺包括如下步骤：S1、将Rogers5880电路板烧结到腔体上的对应位置；S2、将阻容器件烧结到Rogers5880电路板上；S3、将功放管烧结到腔体上；S4、将隔离器安装到腔体上；S5、烧结电源模块电路板并安装到腔体上；S6、电源模块电路板安装完毕后，进行调试和测试，对测试合格的产品进行封盖；上述生产工艺流程科学、便于操作，且经过上述工艺生产的X波段30瓦功率放大器经过严格的测试、环境实验以及整机现场调试，各项技术性能指标完全达到整机要求，生产的产品合格率高，提高了生产效率，节约了生产成本。并已实现大批量多批次供货。
-
公开(公告)号：CN106357231A
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201610779622.8
申请日：2016-08-31
Applicant: 安徽华东光电技术研究所
IPC: H03H3/02
CPC classification number: H03H3/02 , H03H2003/023
Abstract: 本发明公开了一种薄膜微带滤波器的制作方法，包括：步骤a、选择陶瓷基片；步骤b、根据滤波器指标要求进行电路的仿真并完成电路图形设计；步骤c、基片镀膜处理；步骤d、通过光刻处理将滤波器图形转移到基片上；步骤e、对基片进行电镀处理将滤波器图形层增厚；步骤f、去除步骤d中光刻处理后在基片上留有的光刻胶；步骤g、对基片进行刻蚀处理以去除基片正表面滤波器图形以外的所有金属层；步骤h、去除步骤g中刻蚀后基片表面残留的刻蚀溶液；步骤i、将整个基片按照滤波器外形切割成单个的个体；步骤j、装配滤波器并测试滤波器指标。该薄膜微带滤波器的制作方法制作合格率高、成本低，操作简单并且适合大批量生产以提高生产效率。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
78
records
(took 0.038 seconds)
