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公开(公告)号：CN102672393B
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201210151305.3
申请日：2012-05-16
Applicant: 安徽华东光电技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于行波管阴控组件的装配夹具及其装配方法，1）将阴极（3）放置在底座（2）的凹槽（5）中，阴极（3）的上端用镊子压紧；2）将控制极（4）放置在底座（2）的第二层台阶（22）上，并旋紧压块（1）将控制极（4）固定在底座（2）上；3）采用点焊对阴极（3）和控制极（4）进行焊接，即完成控制组件的装配。该种用于行波管阴控组件的装配夹具在X波段100W行波管中，高度精度可以保证在0.008mm以内，同心度可保证在0.01mm以内；本装配夹具可以应用于行波管中阳控电子枪内部阴控组件的装配，装配同心度精度可以控制在0.02mm以内。
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公开(公告)号：CN102260096A
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN201110201768.1
申请日：2011-07-19
Applicant: 安徽华东光电技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种金属陶瓷体吸收器的金属化配方及其在钼-氮化铝衰减器陶瓷上的应用，其中，金属陶瓷体吸收器的金属化配方，包括质量百分含量为70～75%的钼粉和余量的铝锰玻璃粉，其应用为首先向金属化配方中加入粘结剂和助溶剂后混合，然后将混合形成的金属化膏剂涂覆在钼-氮化铝衰减器陶瓷上，最后再进行烧结处理。本发明通过改变金属陶瓷体吸收器表面的金属化配方，可有效提高钼-氮化铝衰减器陶瓷的导热系数、并使其具有真空性能优良、衰减系数大等优点，且金属化层的厚度增强，提高了钼-氮化铝衰减器陶瓷与金属封接件的封接强度。
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公开(公告)号：CN101538170B
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN200910116273.1
申请日：2009-03-04
Applicant: 安徽华东光电技术研究所
IPC: C04B41/85
Abstract: 本发明公开了一种用于95氧化铝陶瓷金属化的组合物及其使用方法，组合物包括70-75重量份钼粉、10-15重量份锰粉、2-4重量份三氧化铝粉、7-9重量份二氧化硅粉、1-3重量份氧化镁粉、0.5-1.5重量份氧化钙粉、0.1-1重量份二氧化钛粉，本发明与现有技术相比，通过在组合物中添加二氧化钛粉、氧化镁粉提高了陶瓷金属化的组合物对陶瓷的浸润，从而提高了95-Al2O3陶瓷与金属封接件的封接强度，封接强度达到300-400MPa，封接件的漏气率小于3％。
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公开(公告)号：CN101723700A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910185841.3
申请日：2009-12-07
Applicant: 安徽华东光电技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于陶瓷与金属封接的釉料及其制备方法，所述的釉料包括：51-55重量份的SiO2、19-21重量份的Al2O3、4.5-6.5重量份的B2O3、6.5-8.5重量份的BaO、9～11重量份的CaO、3～5重量份的MgO。本发明与现有技术相比，通过工艺的改变提高了封接原料的流动性，利用Ti元素对陶瓷亲和力来提高釉料的活性，很好的填充了95Al2O3陶瓷与钼针之间的缝隙，提高了95Al2O3陶瓷与钼针的封接强度、气密性。
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公开(公告)号：CN101723700B
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN200910185841.3
申请日：2009-12-07
Applicant: 安徽华东光电技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于陶瓷与金属封接的釉料及其制备方法，所述的釉料包括：51-55重量份的SiO2、19-21重量份的Al2O3、4.5-6.5重量份的B2O3、6.5-8.5重量份的BaO、9～11重量份的CaO、3～5重量份的MgO。本发明与现有技术相比，通过工艺的改变提高了封接原料的流动性，利用Ti元素对陶瓷亲和力来提高釉料的活性，很好的填充了95Al2O3陶瓷与钼针之间的缝隙，提高了95-Al2O3陶瓷与钼针的封接强度、气密性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102672393A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210151305.3
申请日：2012-05-16
Applicant: 安徽华东光电技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于行波管阴控组件的装配夹具及其装配方法，1）将阴极（3）放置在底座（2）的凹槽（5）中，阴极（3）的上端用镊子压紧；2）将控制极（4）放置在底座（2）的第二层台阶（22）上，并旋紧压块（1）将控制极（4）固定在底座（2）上；3）采用点焊对阴极（3）和控制极（4）进行焊接，即完成控制组件的装配。该种用于行波管阴控组件的装配夹具在X波段100W行波管中，高度精度可以保证在0.008mm以内，同心度可保证在0.01mm以内；本装配夹具可以应用于行波管中阳控电子枪内部阴控组件的装配，装配同心度精度可以控制在0.02mm以内。
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公开(公告)号：CN101177336B
公开(公告)日：2011-03-09
申请号：CN200710025628.7
申请日：2007-08-03
Applicant: 安徽华东光电技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种铝锰玻璃粉及其在a-Al2O3单晶片的应用，所述的铝锰玻璃粉包括重量浓度为MnO:50～55％、Al2O3:25～30％、SiO2:15-20％、TiO2:1～2％，铝锰玻璃粉的粒度2～3μm，纯度不小于99。本发明与现有技术相比，通过铝锰玻璃粉的配方提高了a-Al2O3单晶片中的玻璃相，使金属化层与单晶片的反应活性增强，提高了a-Al2O3单晶片与金属封接件的封接强度，降低了封接件的漏气率，与钼铜镍合金等金属件焊接后，抗拉强度比原来提高了70％，金属化的烧结温度由1500℃降至1300-1360℃，大大降低了对设备的要求，并节约了大量能源。
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公开(公告)号：CN101733583A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200910185845.1
申请日：2009-12-07
Applicant: 安徽华东光电技术研究所
IPC: B23K35/30
Abstract: 本发明公开了用于氮化硼陶瓷与金属封接的焊料及其使用方法，所述的焊料包括以下重量浓度的物质：1-3％的钛粉，余量为72Ag-28Cu焊料。其使用方法为：先将Ti粉用硝棉调至糊状，涂覆在BN陶瓷封接处，厚度为30~40μm；然后用72Ag-28Cu焊料装配使用；将装配好的工件放入真空炉中封接。在真空炉中保证真空度≤2.7×10-3Pa的情况下，封接温度840±10℃，保温3~5min。本发明与现有技术相比，方法比较简单，封接强度和气密性非常可靠，粉末的涂覆不受陶瓷零件结构的限制，大大的提高了氮化硼陶瓷与金属封接的工作效率。
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公开(公告)号：CN102290305B
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201110206523.8
申请日：2011-07-22
Applicant: 安徽华东光电技术研究所
IPC: H01J5/10
Abstract: 本发明公开一种长陶瓷筒内圆金属化的方法，其特征在于，包括如下的步骤：多次金属化层涂覆和镀镍，上述金属化层涂覆的过程包括多次涂覆烘干和一次高温烧结，上述涂覆烘干是指：先用毛笔在长陶瓷筒内圆上涂覆一遍金属化膏剂，晾干，之后放在烘箱中以50℃下烘10min，在进行完所有的涂覆烘干后，保证烘干后的金属化层的厚度为20~30μm，其有益之处在于：多次金属化层涂覆提高了长陶瓷筒内圆金属化层的均匀性和一致性以及与金属封接的气密性和可靠性；同时回避了涂层不均匀、不平整的缺点，大大降低了对人工涂覆技术的要求，提高了长陶瓷筒内圆金属化层的均匀性和一致性，同时通过两次金属化烧结使得金属化层更加致密均匀。
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公开(公告)号：CN102290305A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201110206523.8
申请日：2011-07-22
Applicant: 安徽华东光电技术研究所
IPC: H01J5/10
Abstract: 本发明公开一种长陶瓷筒内圆金属化的方法，其特征在于，包括如下的步骤：多次金属化层涂覆和镀镍，上述金属化层涂覆的过程包括多次涂覆烘干和一次高温烧结，上述涂覆烘干是指：先用毛笔在长陶瓷筒内圆上涂覆一遍金属化膏剂，晾干，之后放在烘箱中以50℃下烘10min，在进行完所有的涂覆烘干后，保证烘干后的金属化层的厚度为20~30μm，其有益之处在于：多次金属化层涂覆提高了长陶瓷筒内圆金属化层的均匀性和一致性以及与金属封接的气密性和可靠性；同时回避了涂层不均匀、不平整的缺点，大大降低了对人工涂覆技术的要求，提高了长陶瓷筒内圆金属化层的均匀性和一致性，同时通过两次金属化烧结使得金属化层更加致密均匀。
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