公开(公告)号：CN106732515A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201611142182.1

申请日：2016-12-12

Applicant: 安徽大学

Inventor： 李村 ,  方敏 ,  王瑶 ,  朱维菊 ,  徐颖

IPC: B01J23/06 ,  C02F1/30

CPC classification number: Y02W10/37 ,  B01J23/06 ,  B01J35/004 ,  C02F1/30 ,  C02F2101/308 ,  C02F2305/10

Abstract: 本发明公开了一种具有p‑n异质结的BG/ZnO纳米复合材料的制备方法及其用途，其中BG/ZnO纳米复合材料是以BG为p型半导体，以ZnO为n型半导体，水热合成的具有p‑n异质结的纳米复合材料。通过形成p‑n异质结能够促进光生电子和空穴的分离并且通过将空穴从n型半导体ZnO的价带转移到P型半导体BG的价带上来抑制电子/空穴对的复合来提高光催化降解效率。该复合材料作为光催化剂使用对废水中的有机染料具有很高的光降解效率。

公开(公告)号：CN106732515B

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201611142182.1

申请日：2016-12-12

Applicant: 安徽大学

Inventor： 李村 ,  方敏 ,  王瑶 ,  朱维菊 ,  徐颖

IPC: B01J23/06 ,  C02F1/30

CPC classification number: Y02W10/37

Abstract: 本发明公开了一种具有p‑n异质结的BG/ZnO纳米复合材料的制备方法及其用途，其中BG/ZnO纳米复合材料是以BG为p型半导体，以ZnO为n型半导体，水热合成的具有p‑n异质结的纳米复合材料。通过形成p‑n异质结能够促进光生电子和空穴的分离并且通过将空穴从n型半导体ZnO的价带转移到P型半导体BG的价带上来抑制电子/空穴对的复合来提高光催化降解效率。该复合材料作为光催化剂使用对废水中的有机染料具有很高的光降解效率。