公开(公告)号：CN118444122A

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202410903381.8

申请日：2024-07-08

Applicant: 安徽大学

Inventor： 谭琨 ,  谢海洋 ,  唐曦 ,  罗盟 ,  曹文平 ,  胡存刚

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明提供一种SiC MOSFET栅氧老化状态在线监测电路与方法，通过漏源电压检测单元和信号判定单元实时监测栅极电压和漏源电压的变化，得到关于栅极电压变化的第二比较信号和关于漏源电压变化的第一比较信号，并将两个比较信号进行逻辑运算，根据逻辑运算结果的高电平持续时间得出两个能够体现SiC MOSFET栅氧层状况的参数，准确评估SiC MOSFET栅氧层的健康状况，有效提高SiC MOSFET的可靠性和使用寿命。且仅需一个电路即可实现两个时间参数的检测，具备电路结构简单，制备成本低的优点。

公开(公告)号：CN118444122B

公开(公告)日：2024-09-17

申请号：CN202410903381.8

申请日：2024-07-08

Applicant: 安徽大学

Inventor： 谭琨 ,  谢海洋 ,  唐曦 ,  罗盟 ,  曹文平 ,  胡存刚

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明提供一种SiC MOSFET栅氧老化状态在线监测电路与方法，通过漏源电压检测单元和信号判定单元实时监测栅极电压和漏源电压的变化，得到关于栅极电压变化的第二比较信号和关于漏源电压变化的第一比较信号，并将两个比较信号进行逻辑运算，根据逻辑运算结果的高电平持续时间得出两个能够体现SiC MOSFET栅氧层状况的参数，准确评估SiC MOSFET栅氧层的健康状况，有效提高SiC MOSFET的可靠性和使用寿命。且仅需一个电路即可实现两个时间参数的检测，具备电路结构简单，制备成本低的优点。