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公开(公告)号:CN118344170B
公开(公告)日:2024-11-29
申请号:CN202410273802.3
申请日:2024-03-11
Applicant: 安徽工程大学
Abstract: 本发明涉及异种材料连接技术领域,具体涉及一种碳化硅与散热铜板的低温连接方法,所述方法是先对SiC表面进行预处理除杂,之后对预处理后的SiC表面进行溅射Cr、Ag两层金属膜的金属化处理,最后采用SnCu或SnAg共晶焊料,将金属化处理后的SiC与铜板装配后进行真空钎焊;其中,SiC表面金属化处理时,SiC基体的温度加热至100~200℃;钎焊的温度为250~280℃,保温时间5~10min。本发明以实现SiC陶瓷与金属Cu的低温可靠连接为研究目的,一方面为电子封装中SiC功率器件的应用提供技术支持,另一方面为陶瓷等难焊和难润湿材料的低温钎焊技术提供设计思路。
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公开(公告)号:CN119897627A
公开(公告)日:2025-04-29
申请号:CN202411938890.0
申请日:2024-12-26
Applicant: 安徽工程大学 , 安徽省春谷3D打印智能装备产业技术研究院有限公司
IPC: B23K35/26 , B23K35/40 , B23K1/00 , B23K1/20 , B23K1/008 , B23K103/18 , B23K103/00
Abstract: 本发明涉及异种材料连接技术领域,具体涉及一种用于大尺寸陶瓷与金属低温连接的无铅复合钎料及方法,所述复合钎料由铜粉与锡铋焊粉按质量比1:75‑100混合后,经压片、静置后得到;其中,锡铋焊粉中锡含量为42%、铋含量为58%。本发明所开发的Cu‑SnBi复合焊料有效避免了SnBi钎料的脆性,尤其针对大尺寸(目前主要针对电子封装焊点,尺寸较小)钎焊,可实现200℃以下成功焊接而不出现脆性开裂,钎料综合机械性能优良。
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公开(公告)号:CN118344170A
公开(公告)日:2024-07-16
申请号:CN202410273802.3
申请日:2024-03-11
Applicant: 安徽工程大学
Abstract: 本发明涉及异种材料连接技术领域,具体涉及一种碳化硅与散热铜板的低温连接方法,所述方法是先对SiC表面进行预处理除杂,之后对预处理后的SiC表面进行溅射Cr、Ag两层金属膜的金属化处理,最后采用SnCu或SnAg共晶焊料,将金属化处理后的SiC与铜板装配后进行真空钎焊;其中,SiC表面金属化处理时,SiC基体的温度加热至100~200℃;钎焊的温度为250~280℃,保温时间5~10min。本发明以实现SiC陶瓷与金属Cu的低温可靠连接为研究目的,一方面为电子封装中SiC功率器件的应用提供技术支持,另一方面为陶瓷等难焊和难润湿材料的低温钎焊技术提供设计思路。
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