一种碳化硅与散热铜板的低温连接方法

    公开(公告)号:CN118344170B

    公开(公告)日:2024-11-29

    申请号:CN202410273802.3

    申请日:2024-03-11

    Abstract: 本发明涉及异种材料连接技术领域,具体涉及一种碳化硅与散热铜板的低温连接方法,所述方法是先对SiC表面进行预处理除杂,之后对预处理后的SiC表面进行溅射Cr、Ag两层金属膜的金属化处理,最后采用SnCu或SnAg共晶焊料,将金属化处理后的SiC与铜板装配后进行真空钎焊;其中,SiC表面金属化处理时,SiC基体的温度加热至100~200℃;钎焊的温度为250~280℃,保温时间5~10min。本发明以实现SiC陶瓷与金属Cu的低温可靠连接为研究目的,一方面为电子封装中SiC功率器件的应用提供技术支持,另一方面为陶瓷等难焊和难润湿材料的低温钎焊技术提供设计思路。

    一种碳化硅与散热铜板的低温连接方法

    公开(公告)号:CN118344170A

    公开(公告)日:2024-07-16

    申请号:CN202410273802.3

    申请日:2024-03-11

    Abstract: 本发明涉及异种材料连接技术领域,具体涉及一种碳化硅与散热铜板的低温连接方法,所述方法是先对SiC表面进行预处理除杂,之后对预处理后的SiC表面进行溅射Cr、Ag两层金属膜的金属化处理,最后采用SnCu或SnAg共晶焊料,将金属化处理后的SiC与铜板装配后进行真空钎焊;其中,SiC表面金属化处理时,SiC基体的温度加热至100~200℃;钎焊的温度为250~280℃,保温时间5~10min。本发明以实现SiC陶瓷与金属Cu的低温可靠连接为研究目的,一方面为电子封装中SiC功率器件的应用提供技术支持,另一方面为陶瓷等难焊和难润湿材料的低温钎焊技术提供设计思路。

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