用于集成传感器器件的样本井制造技术及结构

    公开(公告)号:CN112955401B

    公开(公告)日:2024-08-02

    申请号:CN201980071658.2

    申请日:2019-08-29

    Abstract: 本发明描述形成集成器件及特定言之形成集成器件中的一个或多个样本井的方法。这些方法可涉及:在包覆层上方形成金属堆叠;在该金属堆叠中形成孔隙;在所述孔隙内形成第一间隔材料;以及通过移除所述包覆层中的一些以将所述孔隙的深度延伸到所述包覆层中而形成样本井。在得到的样本井中,所述第一间隔材料的至少一部分与所述金属堆叠的至少一层接触。

    用于集成传感器器件的样本井制造技术及结构

    公开(公告)号:CN112955401A

    公开(公告)日:2021-06-11

    申请号:CN201980071658.2

    申请日:2019-08-29

    Abstract: 本发明描述形成集成器件及特定言之形成集成器件中的一个或多个样本井的方法。这些方法可涉及:在包覆层上方形成金属堆叠;在该金属堆叠中形成孔隙;在所述孔隙内形成第一间隔材料;以及通过移除所述包覆层中的一些以将所述孔隙的深度延伸到所述包覆层中而形成样本井。在得到的样本井中,所述第一间隔材料的至少一部分与所述金属堆叠的至少一层接触。

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