公开(公告)号：CN103069719B

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201180033725.5

申请日：2011-01-11

Applicant: 密克罗奇普技术公司

Inventor： 文森特·奎奎姆普瓦 ,  扬·约纳 ,  加布里埃莱·贝利尼

IPC: H03M3/00 ,  H03M1/06

CPC classification number: H03M1/0663 ,  H03M1/0665 ,  H03M3/422 ,  H03M3/456 ,  H03M3/464

Abstract: 一种∑‑Δ调制器具有：斩波器电压参考，其提供具有时钟相依偏移电压的参考信号；单一位或多位数/模转换器DAC；多个电容器对；多个开关，其用以将任一电容器对耦合到输入或参考信号；以及控制单元，其经由所述开关控制取样以在两个阶段中执行电荷转移，其中任一电容器对可经选择以被指派给所述输入或参考信号，其中在多次电荷转移之后，通过循环地轮换所述电容器对而执行增益误差消除，且其中DAC输出值和参考偏移状态界定切换序列，其中每一切换序列独立地轮换所述电容器对，且其中取决于当前DAC输出值和当前参考偏移状态而选择至少一个切换序列。

公开(公告)号：CN102483637B

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201080038845.X

申请日：2010-08-09

Applicant: 密克罗奇普技术公司

Inventor： 菲利普·德瓦尔 ,  扬·约纳 ,  费比恩·沃彻

IPC: G05F3/30

CPC classification number: G05F3/30

Abstract: 本发明揭示一种带隙电路，其包括：一阶补偿带隙单元，其产生第一输出电压；及二阶补偿电路，其将第二输出电压添加至所述第一输出电压且包括与第一电阻器并联耦合的第一金属氧化物半导体MOS晶体管，其中所述第一MOS晶体管被以与绝对温度成反比PTAT电压偏置。

公开(公告)号：CN101657971B

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN200880011818.6

申请日：2008-04-10

Applicant: 密克罗奇普技术公司

Inventor： 托马斯·尤博克·李 ,  乔纳森·杰克逊 ,  约翰·奥斯丁 ,  安德鲁·斯旺埃克 ,  扬·约纳

IPC: H03M1/66

CPC classification number: H03M1/66

Abstract: 本发明揭示一种例如数字模拟转换器(DAC)装置的混合信号装置，其具有存取易失性及/或非易失性存储器且每当所述混合信号装置通电时允许预编程的输出电压的串行接口通信协议。然而，不同于常规DAC装置，具有非易失性存储器的DAC装置可需要用于有效地操作所述DAC装置及系统主控制器单元(MCU)之间的通信的专用接口通信协议。提供不违背标准串行总线通信协议的接口通信协议以用于在所述DAC装置的所述易失性与非易失性存储器之间进行通信，使得所述MCU可存取所述DAC装置的存储器(非易失性及/或易失性存储器)。

公开(公告)号：CN103069719A

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN201180033725.5

申请日：2011-01-11

Applicant: 密克罗奇普技术公司

Inventor： 文森特·奎奎姆普瓦 ,  扬·约纳 ,  加布里埃莱·贝利尼

IPC: H03M3/00 ,  H03M1/06

CPC classification number: H03M1/0663 ,  H03M1/0665 ,  H03M3/422 ,  H03M3/456 ,  H03M3/464

Abstract: 一种∑-Δ调制器具有：斩波器电压参考，其提供具有时钟相依偏移电压的参考信号；单一位或多位数/模转换器DAC；多个电容器对；多个开关，其用以将任一电容器对耦合到输入或参考信号；以及控制单元，其经由所述开关控制取样以在两个阶段中执行电荷转移，其中任一电容器对可经选择以被指派给所述输入或参考信号，其中在多次电荷转移之后，通过循环地轮换所述电容器对而执行增益误差消除，且其中DAC输出值和参考偏移状态界定切换序列，其中每一切换序列独立地轮换所述电容器对，且其中取决于当前DAC输出值和当前参考偏移状态而选择至少一个切换序列。

公开(公告)号：CN102483637A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201080038845.X

申请日：2010-08-09

Applicant: 密克罗奇普技术公司

Inventor： 菲利普·德瓦尔 ,  扬·约纳 ,  费比恩·沃彻

IPC: G05F3/30

CPC classification number: G05F3/30

Abstract: 本发明揭示一种带隙电路，其包括：一阶补偿带隙单元，其产生第一输出电压；及二阶补偿电路，其将第二输出电压添加至所述第一输出电压且包括与第一电阻器并联耦合的第一金属氧化物半导体MOS晶体管，其中所述第一MOS晶体管被以与绝对温度成反比PTAT电压偏置。

公开(公告)号：CN101889397B

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN200980101159.X

申请日：2009-01-14

Applicant: 密克罗奇普技术公司

Inventor： 托马斯·尤博克·李 ,  扬·约纳 ,  菲利普·吉梅尔 ,  蒂姆·舍曼 ,  乔纳森·杰克逊 ,  约翰·奥斯丁

IPC: H03M1/66

CPC classification number: H03M1/66

Abstract: 一种混合信号集成电路装置(例如，数/模转换器(DAC))具有串行接口通信协议，其存取易失性和/或非易失性存储器且每当所述混合信号装置加电时允许预编程的输出电压。然而，不同于常规DAC，具有非易失性存储器的DAC可能需要特殊接口通信协议以用于所述DAC的有效操作和系统主控制器单元(MCU)之间的通信。提供不违反标准串行总线通信协议的接口通信协议用于所述DAC的所述易失性与非易失性存储器之间的通信，使得所述MCU可存取所述DAC存储器(非易失性和/或易失性存储器)。所述混合信号集成电路装置具有用户可编程地址。

公开(公告)号：CN101889397A

公开(公告)日：2010-11-17

申请号：CN200980101159.X

申请日：2009-01-14

Applicant: 密克罗奇普技术公司

Inventor： 托马斯·尤博克·李 ,  扬·约纳 ,  菲利普·吉梅尔 ,  蒂姆·舍曼 ,  乔纳森·杰克逊 ,  约翰·奥斯丁

IPC: H03M1/66

CPC classification number: H03M1/66

Abstract: 一种混合信号集成电路装置(例如，数/模转换器(DAC))具有串行接口通信协议，其存取易失性和/或非易失性存储器且每当所述混合信号装置加电时允许预编程的输出电压。然而，不同于常规DAC，具有非易失性存储器的DAC可能需要特殊接口通信协议以用于所述DAC的有效操作和系统主控制器单元(MCU)之间的通信。提供不违反标准串行总线通信协议的接口通信协议用于所述DAC的所述易失性与非易失性存储器之间的通信，使得所述MCU可存取所述DAC存储器(非易失性和/或易失性存储器)。所述混合信号集成电路装置具有用户可编程地址。

公开(公告)号：CN101657971A

公开(公告)日：2010-02-24

申请号：CN200880011818.6

申请日：2008-04-10

Applicant: 密克罗奇普技术公司

Inventor： 托马斯·尤博克·李 ,  乔纳森·杰克逊 ,  约翰·奥斯丁 ,  安德鲁·斯旺埃克 ,  扬·约纳

IPC: H03M1/66

CPC classification number: H03M1/66

Abstract: 本发明揭示一种例如数字模拟转换器(DAC)装置的混合信号装置，其具有存取易失性及/或非易失性存储器且每当所述混合信号装置通电时允许预编程的输出电压的串行接口通信协议。然而，不同于常规DAC装置，具有非易失性存储器的DAC装置可需要用于有效地操作所述DAC装置及系统主控制器单元(MCU)之间的通信的专用接口通信协议。提供不违背标准串行总线通信协议的接口通信协议以用于在所述DAC装置的所述易失性与非易失性存储器之间进行通信，使得所述MCU可存取所述DAC装置的存储器(非易失性及/或易失性存储器)。