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公开(公告)号：CN102834550B
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201180018267.8
申请日：2011-04-08
Applicant: 富士胶片株式会社
Inventor： 祐谷重德
CPC classification number: C25D11/005 , C25D11/045
Abstract: 为了在金属基板的一侧高速地形成作为绝缘层的阳极氧化膜，而构造一种阳极氧化装置，该阳极氧化装置包括：供电鼓（2），其通过紧密接触而支承由能阳极氧化的金属制成的带状物（1）或由在至少一个表面上具有能阳极氧化的金属的复合导电金属箔制成的带状物（1），并且至少供粘附带状物（1）的部分（2a）由导电材料构成；设置成面对供电鼓（2）的对置电极（3）；电解槽（5），其填充有电解液（4），对置电极和供电鼓（2）的支承带状物（1）的部分浸入该电解液中；由非导电材料形成的保护部件（6），其叠盖由供电鼓（2）紧密支承的带状物（1）的沿宽度方向的端部以及供电鼓的未粘附带状物（1）的部分，由此保护这些部分不受电解液（4）的影响；以及驱动部，其与供电鼓（2）的转速同步，并使保护部件（6）和与供电鼓（2）紧密接触的带状物（1）在电解液（4）内一起移动。
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公开(公告)号：CN102194764B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201110035053.3
申请日：2011-02-09
Applicant: 富士胶片株式会社
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，所述半导体装置在基板(2)和半导体元件(3)之间设置有由硅树脂形成的多孔结构体层(4)。作为另一种选择，在半导体装置(21)的基板(22)和半导体元件(23)之间设置有由下述化合物形成的密度为0.7g/cm3以下的多孔层(24)，所述化合物通过对选自由单烷氧基硅烷、二烷氧基硅烷和三烷氧基硅烷组成的组的至少一种烷氧基硅烷和四烷氧基硅烷进行水解和缩合得到。作为再一种选择，在树脂基板(32)上设置通过水解和缩合烷氧基硅烷获得的化合物所形成的附着层(33)，并且在附着层(33)上设置通过水解和缩合烷氧基硅烷获得的化合物所形成的密度为0.7g/cm3以下的多孔层(34)。
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公开(公告)号：CN102770965A
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN201180006683.6
申请日：2011-01-18
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/0392 , H01L31/022441 , H01L31/0322 , H01L31/0323 , H01L31/03923 , H01L31/046 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供模块型太阳能电池，其中将具有由化合物半导体构成的光吸收层的薄膜太阳能电池串联连接在单个基板上。所述基板包含由铁素体不锈钢构成的基底，形成在所述基底的至少一个表面上的铝层，以及通过阳极氧化所述铝层的表面获得的具有多孔结构的绝缘层。所述绝缘层在室温展现压缩应力。
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公开(公告)号：CN102834550A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201180018267.8
申请日：2011-04-08
Applicant: 富士胶片株式会社
Inventor： 祐谷重德
CPC classification number: C25D11/005 , C25D11/045
Abstract: 为了在金属基板的一侧高速地形成作为绝缘层的阳极氧化膜，而构造一种阳极氧化装置，该阳极氧化装置包括：供电鼓（2），其通过紧密接触而支承由能阳极氧化的金属制成的带状物（1）或由在至少一个表面上具有能阳极氧化的金属的复合导电金属箔制成的带状物（1），并且至少供粘附带状物（1）的部分（2a）由导电材料构成；设置成面对供电鼓（2）的对置电极（3）；电解槽（5），其填充有电解液（4），对置电极和供电鼓（2）的支承带状物（1）的部分浸入该电解液中；由非导电材料形成的保护部件（6），其叠盖由供电鼓（2）紧密支承的带状物（1）的沿宽度方向的端部以及供电鼓的未粘附带状物（1）的部分，由此保护这些部分不受电解液（4）的影响；以及驱动部，其与供电鼓（2）的转速同步，并使保护部件（6）和与供电鼓（2）紧密接触的带状物（1）在电解液（4）内一起移动。
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公开(公告)号：CN102754218A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201180008733.4
申请日：2011-02-02
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/0392 , C25D11/04 , C25D11/08 , C25D11/10 , C25D11/18 , H01L31/03926 , H05K1/053 , H05K2201/0116 , H05K2203/0315 , Y02E10/50 , Y10T29/49155 , Y10T428/12479
Abstract: 一种具有绝缘层的金属基板，其包括至少具有铝基底的金属基板和形成在所述金属基板的所述铝基底上的绝缘层。绝缘层是铝的多孔型阳极氧化膜。阳极氧化膜包括阻挡层部分和多孔层部分，并且至少多孔层部分在室温具有压缩应变。应变的大小在0.005％至0.25％的范围内。阳极氧化膜具有3微米至20微米的厚度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103460395A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201280016558.8
申请日：2012-04-04
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L31/0392 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/02008 , C23C18/1212 , C23C18/122 , C23C18/1245 , C23C18/1254 , C25D11/08 , C25D11/10 , C25D11/18 , C25D11/24 , C25D11/246 , H01L31/0392 , H01L31/03923 , H01L31/03925 , Y02E10/541 , Y02P70/521 , Y10T428/12458 , Y10T428/12632
Abstract: 附有绝缘层的金属基板对于光电转换半导体层可以有效率地扩散碱金属离子，而可以提高光电转换组件的光电转换效率。附有绝缘层的金属基板包括至少单面具有金属铝(11)的金属基板以及由多孔氧化铝膜(20)与碱金属硅酸盐膜(30)所形成的复合构造层(90)，多孔氧化铝膜(20)在金属铝(11)上藉由阳极氧化所形成，碱金属硅酸盐膜(30)披覆多孔氧化铝膜(20)的细孔表面。在复合构造层(90)侧自复合构造层(90)与金属铝(11)的界面厚度1μm的位置以及在复合构造层(90)侧自复合构造层(90)与位于金属铝(11)的相反侧的上部层的界面1μm的位置之间的区域内的任意位置中，复合构造层(90)中硅相对于铝的质量比为0.001以上、0.2以下。
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公开(公告)号：CN103443662A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201180069260.9
申请日：2011-12-15
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: G02B1/11
CPC classification number: G02B1/11 , B29D11/00009 , G02B1/118 , G02B1/12
Abstract: 本发明提供一种光学部件，所述光学部件包括：基板，所述基板具有至少部分弯曲的表面；在最外表面的凹凸结构，对通过在所述基板上气相沉积单质铝和含铝化合物中的至少一种所形成的层进行水热处理，从而制备所述凹凸结构；和介电层，在所述基板与所述凹凸结构之间通过气相沉积而形成所述介电层。
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公开(公告)号：CN102782866A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201180007982.1
申请日：2011-01-26
Applicant: 富士胶片株式会社
Inventor： 祐谷重德
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/03928 , H01B3/02 , H01G9/2068 , H01G9/2081 , Y02E10/541 , Y02E10/542 , Y10T428/12479 , Y10T428/12611
Abstract: 绝缘金属基板用于半导体器件诸如太阳能电池。所述基板包括由钢、铁基合金钢或钛制成的金属基体，铝层和通过将铝阳极氧化而获得的绝缘层。主要由组成用Al3X(其中X是选自Fe、Cr和Ti的至少一种元素)表示的合金制成的合金层存在于金属基体和铝层之间的界面中，并且具有0.01至10微米的厚度。铝层的厚度为1微米以上并且等于或小于金属基体的厚度。
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公开(公告)号：CN102194764A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201110035053.3
申请日：2011-02-09
Applicant: 富士胶片株式会社
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，所述半导体装置在基板(2)和半导体元件(3)之间设置有由硅树脂形成的多孔结构体层(4)。作为另一种选择，在半导体装置(21)的基板(22)和半导体元件(23)之间设置有由下述化合物形成的密度为0.7g/cm3以下的多孔层(24)，所述化合物通过对选自由单烷氧基硅烷、二烷氧基硅烷和三烷氧基硅烷组成的组的至少一种烷氧基硅烷和四烷氧基硅烷进行水解和缩合得到。作为再一种选择，在树脂基板(32)上设置通过水解和缩合烷氧基硅烷获得的化合物所形成的附着层(33)，并且在附着层(33)上设置通过水解和缩合烷氧基硅烷获得的化合物所形成的密度为0.7g/cm3以下的多孔层(34)。
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公开(公告)号：CN103460395B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201280016558.8
申请日：2012-04-04
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L31/0392 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/02008 , C23C18/1212 , C23C18/122 , C23C18/1245 , C23C18/1254 , C25D11/08 , C25D11/10 , C25D11/18 , C25D11/24 , C25D11/246 , H01L31/0392 , H01L31/03923 , H01L31/03925 , Y02E10/541 , Y02P70/521 , Y10T428/12458 , Y10T428/12632
Abstract: 本发明涉及附有绝缘层的金属基板及其制造方法以及半导体装置。附有绝缘层的金属基板对于光电转换半导体层可以有效率地扩散碱金属离子，而可以提高光电转换组件的光电转换效率。附有绝缘层的金属基板包括至少单面具有金属铝(11)的金属基板以及由多孔氧化铝膜(20)与碱金属硅酸盐膜(30)所形成的复合构造层(90)，多孔氧化铝膜(20)在金属铝(11)上藉由阳极氧化所形成，碱金属硅酸盐膜(30)披覆多孔氧化铝膜(20)的细孔表面。在复合构造层(90)侧自复合构造层(90)与金属铝(11)的界面厚度1μm的位置以及在复合构造层(90)侧自复合构造层(90)与位于金属铝(11)的相反侧的上部层的界面厚度1μm的位置之间的区域内的任意位置中，复合构造层(90)中硅相对于铝的质量比为0.001以上、0.2以下。
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