公开(公告)号：CN102983491A

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN201210511411.8

申请日：2012-12-04

Applicant: 山东科技大学

Inventor： 张玉萍 ,  张会云 ,  张洪艳 ,  吴志心 ,  申端龙

IPC: H01S3/115 ,  H01S3/109

Abstract: 本发明涉及一种能倍频的KTP电光调Q器件，包括外壳、电极、电光晶体，电光晶体包括从左到右依次设置的四块低电导率、Ⅱ类倍频临界相位匹配角度切割的KTP晶体，依次旋转90°放置；在第一、三块KTP晶体的上、下通电面镀金膜，在第二、四块KTP晶体的前、后通电面镀金膜；从第一块晶体的上通电面、第二块晶体的前通电面、第三块晶体的下通电面和第四块晶体的后通电面引出金线，连接到正电极；从四块晶体的另一侧通电面引出金线，连接到负电极；器件电光调Q作用时采用退压工作方式。本发明实现倍频和电光调Q两种功能的同时补偿了走离角和静态双折射相位延迟，消除了晶体加压时对相位匹配角的影响。

公开(公告)号：CN202997297U

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201220658089.7

申请日：2012-12-04

Applicant: 山东科技大学

Inventor： 张会云 ,  张晓 ,  尹贻恒 ,  张洪艳 ,  申端龙 ,  吴志心 ,  张玉萍

IPC: H01S3/115

Abstract: 本实用新型涉及一种双KTP晶体光参量和电光调Q复用器件，包括外壳、电极、电光晶体，电光晶体包括从左到右依次设置的两块低电导率、非临界温度相位匹配切割的KTP晶体，依次旋转90°放置；在第一块KTP晶体的上、下通电面镀金膜，在第二块KTP晶体的前、后通电面镀金膜；从第一块KTP晶体的上通电面镀金膜和第二块KTP晶体的前通电面镀金膜引出金线，连接到正电极；从第一块KTP晶体的下通电面镀金膜和第二块KTP晶体的后通电面镀金膜引出金线，连接到负电极；器件电光调Q作用时采用退压工作方式。本实用新型实现光参量和电光调Q两种功能的同时消除了走离角、补偿了静态双折射相位延迟，消除了晶体加压时对相位匹配角的影响。