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公开(公告)号：CN1909953A
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：CN200580002323.3
申请日：2005-01-13
Applicant: 巴斯福股份公司
CPC classification number: B01D69/10 , B01D67/0051 , B01D71/024 , B01D71/028 , B01D2323/10 , Y10S55/05
Abstract: 本发明公开了一种膜的制备方法，所述膜包含至少一个位于多孔基底一侧之上的固体层，所述方法通过使用形成所述固体层的合成溶液处理基底欲涂覆的那个侧面进行。本发明方法的特征在于在所述多孔基底上制备所述固体层时，由惰性流体填充空间，其中所述空间从基底看去，位于多孔基底不欲涂覆的那个侧面之后。所述流体的压力和/或温度这样选择，使得基本上防止所述合成溶液与多孔基底不欲涂覆的那个侧面相接触。
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公开(公告)号：CN1909954A
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：CN200580002397.7
申请日：2005-01-05
Applicant: 巴斯福股份公司
CPC classification number: B01D71/028 , B01D53/228 , B01D67/0051 , B01D69/12 , B01D2323/08 , B01D2325/24 , C07C7/144 , C07C11/08
Abstract: 本发明涉及一种复合膜，所述复合膜包括至少一种多孔基体层和至少一种微孔分离层，所述微孔分离层含有至少一种MFI型沸石。所述分离层通过水热合成来制备，其中硅与铝的摩尔比大于120，并且所述基体层在靠近所述分离层至少100nm的区域中，含有小于10重量％的元素或化学键合形式的铝。
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公开(公告)号：CN100462132C
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200580002323.3
申请日：2005-01-13
Applicant: 巴斯福股份公司
Abstract: 本发明公开了一种膜的制备方法，所述膜包含至少一个位于多孔基底一侧之上的固体层，所述方法通过使用形成所述固体层的合成溶液处理基底欲涂覆的那个侧面进行。本发明方法的特征在于在所述多孔基底上制备所述固体层时，由惰性流体填充空间，其中所述空间从基底看去，位于多孔基底不欲涂覆的那个侧面之后。所述流体的压力和/或温度这样选择，使得基本上防止所述合成溶液与多孔基底不欲涂覆的那个侧面相接触。
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公开(公告)号：CN100443147C
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN200580002397.7
申请日：2005-01-05
Applicant: 巴斯福股份公司
CPC classification number: B01D71/028 , B01D53/228 , B01D67/0051 , B01D69/12 , B01D2323/08 , B01D2325/24 , C07C7/144 , C07C11/08
Abstract: 本发明涉及一种复合膜，所述复合膜包括至少一种多孔基体层和至少一种微孔分离层，所述微孔分离层含有至少一种MFI型沸石。所述分离层通过水热合成来制备，其中硅与铝的摩尔比大于120，并且所述基体层在靠近所述分离层至少100nm的区域中，含有小于10重量%的元素或化学键合形式的铝。
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