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公开(公告)号:CN119647359A
公开(公告)日:2025-03-18
申请号:CN202510176847.3
申请日:2025-02-18
Applicant: 广东电网有限责任公司珠海供电局 , 广东电网有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种变压器气隙的寄生能量电容解析方法及相关装置,其中方法包括:对变压器的初、次级绕组两侧施加相同的电压激励,且电压激励关于变压器中线正负对称;以变压器中心磁柱上单个气隙的边界电压为边界条件求解拉普拉斯方程,得到气隙内任意位置的电势;根据电势计算气隙的电场强度,并根据电场强度计算气隙的电场能量;根据电场能量计算气隙的寄生电容,从而用于变压器的设计。本发明解决了现有技术未考虑到气隙部分的寄生电容,并且不能精确预测不同尺寸和结构的气隙电容,导致不利于减小变压器寄生电容的设计的问题。
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公开(公告)号:CN117607633A
公开(公告)日:2024-02-27
申请号:CN202311606449.8
申请日:2023-11-28
Applicant: 广东电网有限责任公司 , 广东电网有限责任公司珠海供电局
IPC: G01R31/12
Abstract: 本申请公开了一种局部放电检测方法、系统、设备及介质,其中方法包括:通过光学传感器和电学传感器分别对待检测电气系统的局部放电区域的输出信号进行采集,得到两路放电信号和放电特性参数;采用时域差值阈值法提取两路放电信号的同一周期内同一放电信号的放电幅值;对两路放电信号的放电幅值的对比关系开展线性拟合,获取不同传感器之间的输出电压幅值关系,从而确定局部放电区域同一时刻相同放电的传感器输出线性关系线性系数;根据输出线性关系线性系数和放电特性参数计算得到待检测电气系统的局部放电区域处的局部放电量化结果。从而解决了现有技术在高dv/dt脉冲电压下局部放电检测容易出现漏检且检测精度差的问题。
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公开(公告)号:CN118226206A
公开(公告)日:2024-06-21
申请号:CN202410231194.X
申请日:2024-02-29
Applicant: 广东电网有限责任公司 , 广东电网有限责任公司珠海供电局
Inventor: 程旭 , 陈建福 , 陈勇 , 高志华 , 何建宗 , 曹安瑛 , 李振聪 , 杨锐雄 , 裴星宇 , 张黎 , 李建标 , 吴宏远 , 陈武 , 沈湛 , 赵晓燕 , 刘尧 , 廖雁群
IPC: G01R31/12 , G01N23/2251
Abstract: 本申请提供了一种电力电子变压器的绝缘劣化评估方法。其中,该方法包括:获取电力电子变压器的绝缘材料;采用绝缘测试平台对电力电子变压器的绝缘材料进行绝缘局部放电测试以及击穿电压测试,得到测试放电谱图与击穿电压结果;根据测试放电谱图与击穿电压结果评估电力电子变压器的绝缘材料的绝缘劣化。在不同施加电压以及环境因素条件下对于绝缘材料的局部放电和击穿电压进行测试,从多个方面对绝缘的劣化程度进行评估,能够反映出绝缘材料的劣化状态,以确定绝缘系统的可靠性和安全性,及时采取必要的调控和检修措施,以防止绝缘系统的进一步损坏和故障发生,解决了现有技术方案对劣化绝缘评估考虑因素不全面且评估方法的系统性不够强的问题。
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公开(公告)号:CN119517572A
公开(公告)日:2025-02-25
申请号:CN202411647908.1
申请日:2024-11-18
Applicant: 广东电网有限责任公司 , 广东电网有限责任公司珠海供电局
Abstract: 本发明提供了一种高频变压器,包括磁芯、原边绕组和副边绕组,所述磁芯具有框体和位于框体中部的绕线柱,所述原边绕组和副边绕组外包覆有绝缘结构,所述原边绕组由若干串联设置的第一匝圈构成,所述副边绕组由若干串联设置的第二匝圈构成,所述第一匝圈和所述第二匝圈交替层叠的围绕所述绕线柱设置,在垂直于缠绕方向的截面上,第一匝圈和第二匝圈交错布置;通过将相邻层的匝圈交错布置,能够提升匝间距离,进而降低杂散电容和场强,在绝缘结构外部还设置有半导电层,通过设置半导电层,进一步降低区域的电压或场强,满足高频变压器的需求。
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公开(公告)号:CN119670579A
公开(公告)日:2025-03-21
申请号:CN202510185950.4
申请日:2025-02-20
Applicant: 广东电网有限责任公司珠海供电局
IPC: G06F30/27 , H01F27/34 , H01F27/26 , H01F27/30 , H01F30/12 , H02M3/335 , G06F111/04 , G06F111/06
Abstract: 本发明公开了一种双有源桥变换器中高频变压器设计方法及相关装置,包括:结合双有源桥运行原理的高频变压器设计理论,推导在三移相调制下变压器的损耗公式;基于三移相调制,获取高频变压器最大磁密与移相角的关系,从而确定磁密约束条件;根据高频变压器电流有效值并结合三移相调制,得到窗口面积约束;根据损耗公式、磁密约束条件以及窗口面积约束确定三移相调制下高频变压器的优化设计目标和约束条件,并采用NSGA‑II算法对高频变压器参数进行设计。从而解决了现有技术在设计高频变压器的同时不能与DAB运行原理相结合,致使设计时对特定工况下的变压器损耗计算不精确,导致优化设计结果不准确的问题。
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