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公开(公告)号：CN113284885A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110529027.X
申请日：2021-05-14
Applicant: 广州天极电子科技股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种在薄膜电路中集成薄膜电容器的方法，包括：在薄膜电路基片表面沉积金属薄膜；在金属薄膜中加工出薄膜电路图形，包括起下电极作用的金属微带线；在薄膜电路图形表面依次涂布聚酰亚胺薄膜和正性光刻胶；对正性光刻胶进行曝光、显影，并用丙酮清洗掉表面的正性光刻胶，形成清洗后的第二中间产品；对清洗后的第二中间产品正面溅射金属层，形成上层金属；对上层金属进行光刻、蚀刻，形成上电极；上电极与对应的聚酰亚胺薄膜以及起下电极作用的金属微带线共同构成薄膜电容器。本发明采用聚酰亚胺作为电介质，避免了采用金属氧化物作为电介质时的高温制备过程，避免了高温和酸性刻蚀剂对产品质量的影响，同时简化了制备工艺。
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公开(公告)号：CN114220737B
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202111539267.4
申请日：2021-12-15
Applicant: 广州天极电子科技股份有限公司
IPC: H01L21/3213 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供了一种薄膜电路侧面图形化方法、薄膜电路批量制备方法及系统，其中，薄膜电路侧面图形化方法，包括：在激光诱导母体板上涂覆纳米金属颗粒‑有机物涂层，并对纳米金属颗粒‑有机物涂层进行风干处理；将激光诱导母体中涂覆有风干后的纳米金属颗粒‑有机物涂层得一面紧贴基板侧面；利用激光按照预设侧面电路图形照射贴有激光诱导母体板的基板侧面，使得激光照射处纳米金属颗粒‑有机物涂层中的纳米金属颗粒固化在基板侧面上，形成侧面电路图形；移除激光照射后的激光诱导母体板。本发明避免了液态纳米金属颗粒‑有机物涂层直接与基板接触污染正面电路图形和背面电路图形。
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公开(公告)号：CN118983630A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202411059959.2
申请日：2024-08-05
Applicant: 广州天极电子科技股份有限公司
Abstract: 本发明属于薄膜型环形器芯片技术领域，具体涉及一种薄膜型环形器芯片及其制备方法。本发明提供的薄膜型环形器芯片，包括铁氧体基底，依次设置在所述环形器芯片的铁氧体基底表面的相容层、打底层、金属种子层和金属层；所述相容层包括FeCoNi合金层、FeCo合金层、FeNi合金层和CoNi合金层中的一层或多层。本发明在铁氧体基底的表面设置一层相容层，通过合理选择相容层的材料，使相容层与铁氧体基底的成分相似，提高相容层与铁氧体基底的附着力，从而最终提高金属层与铁氧体基底的附着力。由此，本发明提供的薄膜型环形器芯片经加热处理或者外力作用，金属层均未出现起泡、起皮和脱落的问题。
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公开(公告)号：CN115547962A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211313157.0
申请日：2022-10-25
Applicant: 广州天极电子科技股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L27/01 , H01L21/48
Abstract: 本发明公开了一种具有缓冲结构的金锡预成型焊盘的薄膜电路及其制备方法，涉及薄膜电路技术领域，该薄膜电路包括：薄膜电路基片、设置在所述薄膜电路基片上的功能层、设置在所述功能层上的金属缓冲层以及设置在所述金属缓冲层上的金锡预成型焊盘；所述金属缓冲层的最高熔点低于所述金锡预成型焊盘的最低熔点，且所述金锡预成型焊盘是由金锡共晶焊料制备而成；在所述薄膜电路加热过程中，当加热温度低于所述金锡预成型焊盘的最低熔点且高于所述金属缓冲层的最高熔点时，所述金属缓冲层熔化成液态金属，降低所述金锡预成型焊盘与所述功能层之间的应力，提高了焊接可靠性。
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公开(公告)号：CN115093903A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202210849130.7
申请日：2022-07-19
Applicant: 广州天极电子科技股份有限公司
Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，具体涉及一种清洗剂及其应用、一种薄膜电路板基板的清洗方法及其一种薄膜电路板的制备方法。本发明提供的清洗剂包括以下质量百分含量的组分：氟化铵1～5％，无机酸3～10％，过氧化氢5～10％，乙醇10～20％，表面活性剂0.1～1％和余量的水；所述无机酸包括氢氟酸和/或磷酸。本发明提供的清洗剂以氟化铵、氢氟酸和/或磷酸、过氧化氢、乙醇、表面活性剂和水进行复配，同时调控上述原料在上述范围内得到的清洗剂，能够有效清除石英基底表面附着的污染物，提高物理气相沉积、光刻或蚀刻等方法在石英基板表面制备金属薄膜时的附着力，最终加工出的薄膜电路板有效避免金属薄膜从石英基板表面脱落的现象。
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公开(公告)号：CN114206026A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111536578.5
申请日：2021-12-15
Applicant: 广州天极电子科技股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种通孔填充剂、薄膜电路的制备方法及系统，其中通孔填充剂应用于制备薄膜电路，通孔填充剂包括：第一金属、粘合剂、有机溶剂和第二金属；第二金属经氧化后体积增大，且第二金属被完全氧化后增大的体积等于粘合剂和有机溶剂的体积之和。本发明提供的通孔填充剂经烧结处理后，粘合剂、有机溶剂挥发，第二金属被完全氧化后增大的体积等于挥发前粘合剂和有机溶剂的体积之和，进而将薄膜电路中基板上的通孔填充饱满，同时无需对基板表面进行研磨、抛光，在保证薄膜电路工作性能的同时，简化了薄膜电路的制备步骤。
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公开(公告)号：CN109637809B
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN201811570188.8
申请日：2018-12-21
Applicant: 广州天极电子科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种陶瓷储能电容器及其制备方法。通过在陶瓷基片两面各包覆一层极薄的氧化物介质薄膜，在制备出的陶瓷储能电容器厚度较薄的情况下还能够保持电容器的电容量基本不变；本发明采用的氧化物介质薄膜的导热性比高分子材料导热性好，能够降低储能电容器重复使用过程中的热量积累，同时氧化物介质薄膜能适应更高的温度，降低了对使用环境的温度要求。此外，采用本发明方法制备出来的氧化物介质薄膜较致密，起到阻挡作用，能很好地解决储能电容器在重复循环使用过程中，电容器自身漏电流逐渐增大的问题，从而减小储能电容器在充放电循环过程中自身的漏电流变化，在能量释放过程中，维持相同的峰值电流。
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公开(公告)号：CN110335730B
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN201910383849.4
申请日：2019-05-09
Applicant: 广州天极电子科技股份有限公司
Abstract: 本发明涉及电阻元件技术领域，尤其涉及一种薄膜电阻器及其制备方法。本发明提供的薄膜电阻器，包括基板、薄膜电阻层和电极层；所述薄膜电阻层包括NbN薄膜层和TaN薄膜层；所述NbN薄膜层与基板接触，所述TaN薄膜层与电极层接触。本发明所述的薄膜电阻层通过将NbN薄膜和TaN薄膜复合，可以显著提高氮化钽电阻材料的功率密度；根据实施例的记载，本发明所述的薄膜电阻器的功率密度可达到12.2～17.6W/mm2，较TaN薄膜单独作为电阻材料层时的功率密度提高了50～120％。
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公开(公告)号：CN114206026B
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202111536578.5
申请日：2021-12-15
Applicant: 广州天极电子科技股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种通孔填充剂、薄膜电路的制备方法及系统，其中通孔填充剂应用于制备薄膜电路，通孔填充剂包括：第一金属、粘合剂、有机溶剂和第二金属；第二金属经氧化后体积增大，且第二金属被完全氧化后增大的体积等于粘合剂和有机溶剂的体积之和。本发明提供的通孔填充剂经烧结处理后，粘合剂、有机溶剂挥发，第二金属被完全氧化后增大的体积等于挥发前粘合剂和有机溶剂的体积之和，进而将薄膜电路中基板上的通孔填充饱满，同时无需对基板表面进行研磨、抛光，在保证薄膜电路工作性能的同时，简化了薄膜电路的制备步骤。
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公开(公告)号：CN114220737A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111539267.4
申请日：2021-12-15
Applicant: 广州天极电子科技股份有限公司
IPC: H01L21/3213 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供了一种薄膜电路侧面图形化方法、薄膜电路批量制备方法及系统，其中，薄膜电路侧面图形化方法，包括：在激光诱导母体板上涂覆纳米金属颗粒‑有机物涂层，并对纳米金属颗粒‑有机物涂层进行风干处理；将激光诱导母体中涂覆有风干后的纳米金属颗粒‑有机物涂层得一面紧贴基板侧面；利用激光按照预设侧面电路图形照射贴有激光诱导母体板的基板侧面，使得激光照射处纳米金属颗粒‑有机物涂层中的纳米金属颗粒固化在基板侧面上，形成侧面电路图形；移除激光照射后的激光诱导母体板。本发明避免了液态纳米金属颗粒‑有机物涂层直接与基板接触污染正面电路图形和背面电路图形。
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