一种高比表面积多孔g-C3N4的制备方法

    公开(公告)号:CN108273533B

    公开(公告)日:2021-08-10

    申请号:CN201710006094.7

    申请日:2017-01-05

    Abstract: 本发明涉及一种高比表面积多孔g‑C3N4的制备方法。先采用一定比例的甲醇—丙三醇体系对尿素进行重结晶,用无水乙醇洗涤晶体并烘干,再将晶体置于加盖坩埚里在马弗炉400℃焙烧2h,550℃焙烧2h,即可得到淡黄色的纯g‑C3N4。本发明可通过调节甲醇—丙三醇—尿素的比例获得不同比表面积和孔容积的g‑C3N4,所制备出的g‑C3N4的比表面积为133.05m2/g~210.80 m2/g,孔容积0.497~1.537cm3/g。本发明方法操作步骤简单,原料价廉,有效降低产品成本,具有很高的应用前景和实用价值。

    一种苯海索分子印迹电化学传感器的制备方法

    公开(公告)号:CN109342542A

    公开(公告)日:2019-02-15

    申请号:CN201811309613.8

    申请日:2018-11-06

    Abstract: 本发明公开了一种苯海索分子印迹电化学传感器的制备方法,以苯海索为模板分子、脱落酸为功能单体、偶氮二异丁腈为引发剂、钴镍层状粉体复合材料为掺杂剂、以4-乙氧基-4'-氰基联苯为传感膜改性剂,以橄榄苦苷作为交联剂,据此制备了高灵敏度、耐摔性的钴镍层状粉体复合材料掺杂的苯海索分子印迹电化学传感器,该分析方法简单实用,克服了以往分析方法复杂、设备昂贵、灵敏度低的缺点。

    一种依巴斯汀分子印迹电化学传感器的制备方法

    公开(公告)号:CN109324108A

    公开(公告)日:2019-02-12

    申请号:CN201811309616.1

    申请日:2018-11-06

    CPC classification number: G01N27/3275

    Abstract: 本发明公开了一种依巴斯汀分子印迹电化学传感器的制备方法,以依巴斯汀为模板分子、白桦脂酮酸为功能单体、偶氮二异丁腈为引发剂、铜锌层状粉体复合材料为掺杂剂、以4-氧代-4-苯基丁腈为传感膜改性剂,以当归酰戈米辛H作为交联剂,据此制备了高灵敏度、耐摔性的铜锌层状粉体复合材料掺杂的依巴斯汀分子印迹电化学传感器,该分析方法简单实用,克服了以往分析方法复杂、设备昂贵、灵敏度低的缺点。

    一种高比表面积多孔g-C3N4的制备方法

    公开(公告)号:CN108273533A

    公开(公告)日:2018-07-13

    申请号:CN201710006094.7

    申请日:2017-01-05

    CPC classification number: B01J27/24 B01J35/004 B01J37/00

    Abstract: 本发明涉及一种高比表面积多孔g-C3N4的制备方法。先采用一定比例的甲醇—丙三醇体系对尿素进行重结晶,用无水乙醇洗涤晶体并烘干,再将晶体置于加盖坩埚里在马弗炉400℃焙烧2h,550℃焙烧2h,即可得到淡黄色的纯g-C3N4。本发明可通过调节甲醇—丙三醇—尿素的比例获得不同比表面积和孔容积的g-C3N4,所制备出的g-C3N4的比表面积为133.05m2/g~210.80 m2/g,孔容积0.497~1.537cm3/g。本发明方法操作步骤简单,原料价廉,有效降低产品成本,具有很高的应用前景和实用价值。

    一种甲基多巴分子印迹电化学传感器的制备方法

    公开(公告)号:CN108007987A

    公开(公告)日:2018-05-08

    申请号:CN201711253765.6

    申请日:2017-12-02

    CPC classification number: G01N27/308

    Abstract: 本发明公开了一种甲基多巴分子印迹电化学传感器的制备方法,以甲基多巴为模板分子、幼枝含断氧化马钱子苷为功能单体、偶氮二异丁腈为引发剂、纳米粘土为掺杂剂,以异去氢钩藤碱作为交联剂,据此制备了高灵敏度的纳米粘土掺杂的甲基多巴分子印迹电化学传感器,该分析方法简单实用,克服了以往分析方法复杂、设备昂贵、灵敏度低的缺点。

    一种高灵敏度的纳米氧化锆掺杂的地佐辛分子印迹电化学传感器的制备方法

    公开(公告)号:CN105548298B

    公开(公告)日:2017-11-28

    申请号:CN201510956437.7

    申请日:2015-12-21

    Abstract: 本发明公开了一种高灵敏度的纳米氧化锆掺杂的地佐辛分子印迹电化学传感器的制备方法,以地佐辛为模板分子、(5s,8s)‑3‑(4’‑氯‑3’‑氟‑4‑丙烯基联苯‑3‑基)‑4‑羟基‑8‑甲氧基‑1‑氮杂螺[4.5]癸‑3‑烯‑2‑酮为功能单体、偶氮二异丁腈为引发剂、纳米氧化锆为掺杂剂,以松香为原料合成的马来松香丙烯酸乙二醇酯作为交联剂,据此制备了高灵敏度的纳米氧化锆掺杂的地佐辛分子印迹电化学传感器,该分析方法简单实用,克服了以往分析方法复杂、设备昂贵、灵敏度低的缺点。

    一种曲吡那敏分子印迹电化学传感器的制备方法

    公开(公告)号:CN109324105A

    公开(公告)日:2019-02-12

    申请号:CN201811309610.4

    申请日:2018-11-06

    CPC classification number: G01N27/3275

    Abstract: 本发明公开了一种曲吡那敏分子印迹电化学传感器的制备方法,以曲吡那敏为模板分子、白桦脂酮酸为功能单体、偶氮二异丁腈为引发剂、钯锌层状粉体复合材料为掺杂剂、以4-氧代-4-苯基丁腈为传感膜改性剂,以当归酰戈米辛H作为交联剂,据此制备了高灵敏度、耐摔性的钯锌层状粉体复合材料掺杂的曲吡那敏分子印迹电化学传感器,该分析方法简单实用,克服了以往分析方法复杂、设备昂贵、灵敏度低的缺点。

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