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公开(公告)号：CN110797283B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN201910711874.0
申请日：2019-08-02
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 黄奕樵 , 埃罗尔·安东尼奥·C·桑切斯
IPC: H01L21/67 , H01L21/02 , H01L21/203 , H01L21/285
Abstract: 描述了一种用于处理半导体基板的方法和设备。公开了一种基板处理设备，包括：处理腔室；基板支撑件，所述基板支撑件设置在所述处理腔室内；多个灯，所述多个灯布置在灯头中并靠近所述基板支撑件而定位；气源，所述气源用于在跨越所述基板支撑件的侧向流动路径中提供净化气体；以及控制器，所述控制器基于所述流动路径的方向而差分地调整提供到所述多个灯中的单独灯的功率。
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公开(公告)号：CN113243039B
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN201980078685.2
申请日：2019-12-05
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 黄奕樵 , 埃罗尔·安东尼奥·C·桑切斯
IPC: H01L21/18 , H01L21/02 , H01L21/324 , H01L21/683
Abstract: 本文讨论了用于在半导体装置制造期间通过将基板浸泡在掺杂剂中而形成膜的方法。使用至少一种掺杂剂前驱物在处理腔室中执行掺杂剂浸泡达预定的时间段，以在基板上形成掺杂剂层。随后净化处理腔室中的至少一种掺杂剂前驱物。在净化处理腔室之后，将至少一种膜前驱物引入处理腔室中。在基板上外延形成膜，以具有目标电阻率、掺杂剂浓度和/或厚度的至少一者。后处理操作可包括对半导体膜进行退火或图案化，或在其上沉积附加层。
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公开(公告)号：CN108475695B
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN201680072836.X
申请日：2016-12-29
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L29/06 , H01L21/02 , H01L29/41 , H01L21/768 , H01L29/423
Abstract: 本公开内容提供用于在半导体芯片的环绕式水平栅极(hGAA)结构中以期望的材料形成用于纳米线结构的纳米线间隔物的方法。在一个实例中，在基板上形成用于纳米线结构的纳米线间隔物的方法包含：在基板上执行横向蚀刻工艺，该基板上设置有多材料层，其中该多材料层包含重复成对的第一层及第二层，该第一层及该第二层各自具有分别在该多材料层中暴露的第一侧壁及第二侧壁，其中横向蚀刻工艺主要蚀刻该第二层并蚀刻穿过该第二层而在该第二层中形成凹部；以介电质材料填充该凹部；和从该凹部移除过度填充的介电质层。
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公开(公告)号：CN112567497A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN201980053532.2
申请日：2019-08-09
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 沃尔夫冈·阿德霍尔德 , 黄奕樵 , 刘炜 , 本杰明·科伦坡 , 阿布拉什·马约尔
IPC: H01L21/02 , H01L21/324 , H01L29/66
Abstract: 公开了一种选择性地和共形地掺杂半导体材料的方法。一些实施方式利用通过热分解选择性地沉积在半导体材料上的共形掺杂剂膜。一些实施方式涉及掺杂非视线性(non‑line of sight)的表面。一些实施方式涉及用于形成高掺杂的晶体半导体层的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107546108A
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201710619906.5
申请日：2015-09-30
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/3065 , H01L21/8234 , H01L29/78
Abstract: 本公开内容的实现方式一般地涉及外延膜上的硅材料的外延生长的方法。在一个实现方式中，该方法包括于半导体鳍片(fin)之上形成外延膜，其中外延膜包括具有第一刻面与第二刻面的顶表面，以及通过在约375℃至约450℃的温度与约5Torr至约20Torr的腔室压力处将顶表面交替暴露于第一前驱物气体与第二前驱物气体而至少在外延膜的顶表面上形成外延层，第一前驱物气体包含一或多个硅烷，第二前驱物气体包含一或多个氯化硅烷。
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公开(公告)号：CN118103948A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202280054158.X
申请日：2022-07-05
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/8234 , H01L29/423 , H01L29/66
Abstract: 本文所述的实施方式是关于一种在水平环绕式栅极(hGAA)组件结构内外延沉积p通道金属氧化物半导体(MMOS)源极/漏极区的方法。本文描述了前驱物的组合，其主要在 表面上生长源极/漏极区，而在 表面上具有减少或可忽略的生长。因此，源极/漏极区的生长主要位于基板的顶表面上，而不是hGAA结构的交替层上。前驱物组合包含含硅前驱物、含锗前驱物和含硼前驱物。这些前驱物中的至少一者进一步包含氯。
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公开(公告)号：CN116888718A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202280015340.4
申请日：2022-04-26
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本公开内容的实施方式大体而言涉及一种用于清洁基板表面并随后在该基板表面上执行外延沉积处理的整合基板处理系统。一种处理系统包括膜形成腔室、耦接至膜形成腔室的传送腔室、以及耦接至传送腔室的氧化物移除腔室，该氧化物移除腔室具有基板支撑件。该处理系统包括控制器，该控制器被配置为将处理气体混合物引入氧化物移除腔室，该处理气体混合物包含含氟气体和蒸气，该蒸气包含水、醇、有机酸或其组合中的至少一者。控制器被配置为将定位在基板支撑件上的基板暴露于处理气体混合物，从而从基板移除氧化物膜。
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公开(公告)号：CN112053991B
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202010769707.4
申请日：2015-04-28
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 安哈图·恩戈 , 朱作明 , 巴拉苏布拉马尼恩·拉马钱德雷 , 保罗·布里尔哈特 , 埃德里克·唐 , 常安忠 , 建·彭·陆 , 卡尔蒂克·萨哈 , 舒伯特·S·楚 , 丛者澎 , 詹姆斯·弗朗西斯·麦克 , 尼伊·O·妙 , 凯文·约瑟夫·鲍蒂斯塔 , 李学斌 , 黄奕樵 , 叶祉渊
IPC: H01L21/687 , C23C16/458
Abstract: 在一个实施方式中，提供用于热处理的基座。该基座包含：外轮缘，该外轮缘环绕且耦合至内盘，该外轮缘具有内边缘及外边缘。该基座进一步包含一个或更多个结构，该一个或更多个结构用于在基板受该基座支撑时减低该基板与该基座之间的接触表面面积。该一个或更多个结构的其中至少一者耦合至该内盘接近该外轮缘的该内边缘。
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公开(公告)号：CN113243039A
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN201980078685.2
申请日：2019-12-05
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 黄奕樵 , 埃罗尔·安东尼奥·C·桑切斯
IPC: H01L21/18 , H01L21/02 , H01L21/324 , H01L21/683
Abstract: 本文讨论了用于在半导体装置制造期间通过将基板浸泡在掺杂剂中而形成膜的方法。使用至少一种掺杂剂前驱物在处理腔室中执行掺杂剂浸泡达预定的时间段，以在基板上形成掺杂剂层。随后净化处理腔室中的至少一种掺杂剂前驱物。在净化处理腔室之后，将至少一种膜前驱物引入处理腔室中。在基板上外延形成膜，以具有目标电阻率、掺杂剂浓度和/或厚度的至少一者。后处理操作可包括对半导体膜进行退火或图案化，或在其上沉积附加层。
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