公开(公告)号：CN114503241A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202180002988.3

申请日：2021-08-16

Applicant: 应用材料公司 ,  新加坡国立大学

Inventor： 维克内什·萨穆加纳坦 ,  顾继腾 ,  E·文卡塔苏布拉曼尼亚 ,  罗建平 ,  阿布海杰特·巴苏·马利克 ,  约翰·苏迪约诺 ,  陈中兴

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/311 ,  H01L27/11556 ,  C23C16/27

Abstract: 描述制造集成电路的方法。纳米结晶金刚石代替非晶碳被用作硬模。提供处理基板的方法，其中纳米结晶金刚石被用作硬模，其中处理方法产生光滑表面。所述方法涉及两个处理部分。两个单独的纳米结晶金刚石配方组合，即，第一配方和第二配方循环以达成具有高硬度、高模量和光滑表面的纳米结晶金刚石硬模。在其他多个实施方式中，在所述第一配方之后是惰性气体等离子体平滑工艺并且随后所述第一配方被循环以达成高硬度、高模量和光滑的表面。

公开(公告)号：CN112514068B

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN201980050250.7

申请日：2019-08-01

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 特金德·辛格 ,  小泽武仁 ,  阿卜希吉特·巴苏·马尔利克 ,  普拉米特·曼娜 ,  南希·冯 ,  E·文卡塔苏布拉曼尼亚 ,  和勇·大卫·黄 ,  塞缪尔·E·戈特海姆

IPC: H10B12/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/762 ,  H01L21/677 ,  H01L21/67

Abstract: 描述了用以提供图案化的基板的装置及方法。通过以下步骤来形成多个图案化及隔开的第一线及碳材料线于基板表面上：选择性地沉积及蚀刻在第一方向上延伸的膜及在第二方向上延伸的膜，该第二方向与该第一方向交叉以图案化下层的结构。

公开(公告)号：CN112514068A

公开(公告)日：2021-03-16

申请号：CN201980050250.7

申请日：2019-08-01

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 特金德·辛格 ,  小泽武仁 ,  阿卜希吉特·巴苏·马尔利克 ,  普拉米特·曼娜 ,  南希·冯 ,  E·文卡塔苏布拉曼尼亚 ,  和勇·大卫·黄 ,  塞缪尔·E·戈特海姆

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/02 ,  H01L21/762 ,  H01L21/677 ,  H01L21/67

Abstract: 描述了用以提供图案化的基板的装置及方法。通过以下步骤来形成多个图案化及隔开的第一线及碳材料线于基板表面上：选择性地沉积及蚀刻在第一方向上延伸的膜及在第二方向上延伸的膜，该第二方向与该第一方向交叉以图案化下层的结构。