公开(公告)号：CN103280446A

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：CN201310136257.5

申请日：2009-10-21

Applicant: 应用材料公司

Inventor： M·巴尔塞努 ,  V·佐泊考伏 ,  夏立群 ,  A·诺利 ,  R·阿尔加瓦尼 ,  D·R·威蒂 ,  A·奥-巴亚缇

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L21/3185 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/31155 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明提供一种闪存装置及形成所述闪存装置的方法，本发明尤其涉及一种具有氮化硅电荷陷阱层的非挥发性内存。在一个版本中，所述闪存装置包括掺杂氮化硅层，所述掺杂氮化硅层具有包含碳、硼或氧的掺杂剂。所述掺杂氮化硅层在所述层中产生较高数目且较高浓度的氮及硅悬键且提供非挥发性内存装置的单位单元的电荷固持能力及电荷保持时间的增加。