公开(公告)号：CN101609717A

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：CN200810100467.8

申请日：2008-06-16

Applicant: 张庆瑞

Inventor： 孙安正 ,  许仁华 ,  张庆瑞

IPC: G11C13/00 ,  G11C11/02

Abstract: 本发明公开了一种数据储存装置及其储存方法。其中本发明提出的一种数据储存单元，包括一第一电极，一电压施加于该第一电极以在其邻近处形成一电场；及一结合物，其排列于该第一电极上，该结合物包括一液晶分子及一具有极性的磁性物质，借此在该结合物的邻近处形成一磁场，其中该结合物的排列对应于该电场的变动，借此该磁场对应于该电场的变动。本发明技术方案将LC分子的排列特性应用于数据储存领域，实现了一种数字数据式储存装置及方法。

公开(公告)号：CN1892828A

公开(公告)日：2007-01-10

申请号：CN200510081869.4

申请日：2005-07-01

Applicant: 张庆瑞

Inventor： 孙安正 ,  郭博成 ,  许仁华 ,  黄晖理 ,  张庆瑞

IPC: G11B5/66 ,  G11B5/73 ,  G11B5/84

Abstract: 本发明提供了一种可调整式磁记录媒体及其制作方法，所提供的磁记录媒体包含了一个基板以及一层底层/缓冲层/记录层的膜层结构，利用配置在该基板与该缓冲层之间的适当底层，即可调整该磁记录媒体的磁性质与磁性层的结晶优选方位。利用本发明方法，可通过底层厚度的变化来调整磁记录媒体的优选方位、易磁化方向、矫顽磁力、磁异向性与磁滞曲线的角型比等性质，使磁记录媒体具备垂直或平行膜层表面的磁性质。