公开(公告)号：CN107614758A

公开(公告)日：2018-01-19

申请号：CN201680025660.2

申请日：2016-05-06

Applicant: 德克萨斯州立大学董事会

Inventor： 艾伦·J·巴德 ,  殷华艺

IPC: C25D3/66 ,  C25C3/36

CPC classification number: C25D9/04 ,  C25B1/006 ,  C25D9/08 ,  C25D21/12 ,  H01L21/02376 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/02625 ,  H01L21/02628 ,  H01L22/14 ,  H01L31/0445 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/182 ,  Y02E10/546 ,  Y02P70/521

Abstract: 光敏性硅膜可由熔融盐电解质通过电沉积形成。在实施例中，SiO2在熔融盐浴中电化学还原以在含碳基材上沉积硅。