公开(公告)号：CN1803604A

公开(公告)日：2006-07-19

申请号：CN200510067620.8

申请日：2005-04-22

Applicant: 德古萨股份公司

Inventor： 凯·舒马赫 ,  迪特尔·克纳 ,  罗兰·席林 ,  于尔根·弗莱施 ,  托马斯·席恩勒

IPC: C01B33/18

CPC classification number: C01B33/18 ,  C01B33/183 ,  C01P2004/64 ,  C01P2006/12 ,  C09C1/30

Abstract: 热解法制造的、初级微粒的聚集体形式的二氧化硅粉末，其BET表面积为200±25m2/g，其中所述聚集体的平均面积为7000－12000nm2，平均当量圆直径(ECD)为80－100nm，平均周长为850－1050nm。其通过热解法制造，其中四氯化硅和包含H3SiCl、H2SiCl2、HSiCl3、CH3SiCl3、(CH3)2SiCl2、(CH3)3SiCl和/或(n－C3H7)SiCl3的第二硅成分与初级空气和燃烧气体混合，并引入反应室燃烧，其中所述反应室中还引入二级空气，所选择的配料需使绝热火焰温度为1570至1630℃。其可作为填料使用。

公开(公告)号：CN1839098A

公开(公告)日：2006-09-27

申请号：CN200480023811.8

申请日：2004-06-22

Applicant: 德古萨股份公司

Inventor： 凯·舒马赫 ,  于尔根·弗莱施 ,  福尔克尔·哈姆

IPC: C01B33/18 ,  C01G23/07 ,  C01B13/14

CPC classification number: C01B33/18 ,  C01B13/145 ,  C01F7/021 ,  C01G23/075 ,  C01P2006/12 ,  C01P2006/22 ,  C01P2006/80 ,  C01P2006/90

Abstract: 通过蒸汽除去粘附于细碎的金属氧化物颗粒上的卤化物的方法，其中，所述金属氧化物颗粒从直立柱的上部施加并依靠重力向下移动，所述蒸汽在所述柱的底部施加，所述金属氧化物颗粒和所述蒸汽逆流进料，不含卤化物残留物的金属氧化物颗粒在所述柱的底部被移出，蒸汽和卤化物残留物在所述柱的顶部被移出，其中，所述柱以如下方式被加热，所述柱的下部和上部的温差T底部－T顶部至少是20℃，并且所述柱中的最高温度最大为500℃，所述金属氧化物颗粒在所述柱中的停留时间为1秒至30分钟。

公开(公告)号：CN100447083C

公开(公告)日：2008-12-31

申请号：CN200480023811.8

申请日：2004-06-22

Applicant: 德古萨股份公司

Inventor： 凯·舒马赫 ,  于尔根·弗莱施 ,  福尔克尔·哈姆

IPC: C01B33/18 ,  C01G23/07 ,  C01B13/14

Abstract: 通过蒸汽除去粘附于细碎的金属氧化物颗粒上的卤化物的方法，其中，所述金属氧化物颗粒从直立柱的上部施加并依靠重力向下移动，所述蒸汽在所述柱的底部施加，所述金属氧化物颗粒和所述蒸汽逆流进料，不含卤化物残留物的金属氧化物颗粒在所述柱的底部被移出，蒸汽和卤化物残留物在所述柱的顶部被移出，其中，所述柱以如下方式被加热，所述柱的下部和上部的温差T底部-T顶部至少是20℃，并且所述柱中的最高温度最大为500℃，所述金属氧化物颗粒在所述柱中的停留时间为1秒至30分钟。