公开(公告)号：CN108259013B

公开(公告)日：2023-06-13

申请号：CN201711360486.X

申请日：2017-12-15

Applicant: 德州仪器公司

Inventor： V·V·伊万诺夫 ,  杰丽·L·多尔雷恩博斯

IPC: H03F3/34

Abstract: 本申请案涉及一种运算放大器op‑amp集成电路IC芯片。集成电路IC芯片(52)可包含具有可调操作参数的运算放大器(54)。所述IC芯片(52)还可包含微调模块(56)，其经配置以响应于检测到所述运算放大器(54)的正供应电压被设置为大于预定电平的电平及检测到所述运算放大器(54)的反相输入及非反相输入处的给定共模电压中的至少一者而测量所述运算放大器(54)的输出电压。所述微调模块(56)还可经配置以基于所述输出电压来调整所述运算放大器(54)的所述操作参数以微调所述运算放大器(54)。

公开(公告)号：CN118451652A

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202380015242.5

申请日：2023-01-30

Applicant: 德州仪器公司

Inventor： V·瓦里尔 ,  S·K·普利亚拉 ,  V·V·伊万诺夫 ,  杰丽·L·多尔雷恩博斯

IPC: H03F1/30 ,  H03F3/30

Abstract: 在实例中，一种系统(100)包含放大器，所述放大器具有被配置成提供输出电压(108)的输出级，其中所述输出级包含p沟道晶体管(102)和n沟道晶体管(110)。所述系统(100)包含感测晶体管(116)，所述感测晶体管具有耦合到所述p沟道晶体管(102)的栅极的栅极，其中所述感测晶体管(116)被配置成感测所述p沟道晶体管(102)的电流(162)并产生感测电流(166)。所述系统(100)包含电流镜，所述电流镜被配置成将所述感测电流(166)提供到控制晶体管(140)的栅极，所述控制晶体管(140)具有耦合到所述p沟道晶体管(102)的所述栅极的源极。所述控制晶体管(140)被配置成基于比较所述感测电流(166)与参考电流(178)而调节提供到所述p沟道晶体管(102)的栅极电流。

公开(公告)号：CN108259013A

公开(公告)日：2018-07-06

申请号：CN201711360486.X

申请日：2017-12-15

Applicant: 德州仪器公司

Inventor： V·V·伊万诺夫 ,  杰丽·L·多尔雷恩博斯

IPC: H03F3/34

CPC classification number: H03F1/0205 ,  H03F1/3211 ,  H03F1/3247 ,  H03F3/187 ,  H03F3/195 ,  H03F3/45179 ,  H03F3/45475 ,  H03F3/45941 ,  H03F3/45991 ,  H03F2200/471 ,  H03F2200/555 ,  H03F2203/45048 ,  H03F2203/45074 ,  H03F3/34

Abstract: 本申请案涉及一种运算放大器op‑amp集成电路IC芯片。集成电路IC芯片(52)可包含具有可调操作参数的运算放大器(54)。所述IC芯片(52)还可包含微调模块(56)，其经配置以响应于检测到所述运算放大器(54)的正供应电压被设置为大于预定电平的电平及检测到所述运算放大器(54)的反相输入及非反相输入处的给定共模电压中的至少一者而测量所述运算放大器(54)的输出电压。所述微调模块(56)还可经配置以基于所述输出电压来调整所述运算放大器(54)的所述操作参数以微调所述运算放大器(54)。