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公开(公告)号:CN107075304A
公开(公告)日:2017-08-18
申请号:CN201580049074.7
申请日:2015-07-14
Applicant: 恩基科技股份有限公司
IPC: C09D183/04 , C09D183/08 , C09D5/00 , C09D7/12 , H01L33/44 , C03C17/30
CPC classification number: H01L31/048 , C03C17/30 , C03C2217/425 , C03C2217/73 , C09D183/04 , C09D183/08 , G02B1/113 , G02B27/0006 , G02B2207/109 , H01L31/0488 , Y02E10/50 , C09D5/006 , C09D7/61 , H01L33/44
Abstract: 本文公开了基于聚倍半硅氧烷的抗反射涂层(ARC)组合物、制备方法及在基材上沉积的方法。在一个实施方案中,本公开的聚倍半硅氧烷是按两步法制备的,即有机烷氧基硅烷的酸催化水解,接着添加四烷氧基硅烷,其产生基于Si‑NMR具有>40摩尔%的硅烷醇的硅氧烷聚合物。这些高硅烷醇硅氧烷聚合物在室温下在极性有机溶剂中稳定且具有长保质期。还公开了在有和没有诸如致孔剂、模板剂、热自由基引发剂、光自由基引发剂、交联剂、Si‑OH缩合催化剂和纳米填料的添加剂的情况下由这些组合物制成的低折射率ARC。还公开了用于将涂层施加到平坦基材的方法和设备,包括基材预处理过程、涂布过程和包括使用热空气刀的表皮固化的涂层固化过程。还公开了用于具有高可调节性、耐久性、高耐磨性的功能化抗反射涂层的涂层组合物和制剂。