公开(公告)号：CN100490149C

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：CN200510062519.3

申请日：2005-03-30

Applicant: 恩益禧电子股份有限公司 ,  日本电气株式会社

Inventor： 川原尚由 ,  村濑宽 ,  大漥宏明 ,  中柴康隆 ,  小田直树 ,  佐佐木得人 ,  伊藤信和

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/822 ,  H01L21/3213

CPC classification number: H01L21/02192 ,  H01L21/022 ,  H01L21/31604 ,  H01L23/5228 ,  H01L28/24 ,  H01L37/00 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在中间层绝缘层上形成钒氧化物膜，并且在钒氧化物膜上依次形成硅氧化物膜和硅氮化物膜。使用抗蚀剂图形作为掩模，对硅氮化物膜进行构图。然后，通过使用剥离溶液或氧等离子体灰化来去除抗蚀剂图形。接下来，使用构图的硅氮化膜作为掩模，对硅氧化物膜和钒氧化物膜进行蚀刻，以形成钒氧化物的电阻膜。

公开(公告)号：CN1677670A

公开(公告)日：2005-10-05

申请号：CN200510062519.3

申请日：2005-03-30

Applicant: 恩益禧电子股份有限公司 ,  日本电气株式会社

Inventor： 川原尚由 ,  村濑宽 ,  大漥宏明 ,  中柴康隆 ,  小田直树 ,  佐佐木得人 ,  伊藤信和

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/822 ,  H01L21/3213

CPC classification number: H01L21/02192 ,  H01L21/022 ,  H01L21/31604 ,  H01L23/5228 ,  H01L28/24 ,  H01L37/00 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在中间层绝缘层上形成钒氧化物膜，并且在钒氧化物膜上依次形成硅氧化物膜和硅氮化物膜。使用抗蚀剂图形作为掩模，对硅氮化物膜进行构图。然后，通过使用剥离溶液或氧等离子体灰化来去除抗蚀剂图形。接下来，使用构图的硅氮化膜作为掩模，对硅氧化物膜和钒氧化物膜进行蚀刻，以形成钒氧化物的电阻膜。