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公开(公告)号：CN105830218B
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201380081717.7
申请日：2013-12-18
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C7/04 , G11C11/56 , G11C11/5678 , G11C11/5685 , G11C13/0002 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C2013/008 , G11C2213/32 , H01L27/2463 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1286 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/16
Abstract: 公开了具有热辅助开关控制的非易失性存储器元件。非易失性存储器元件布置在热喷墨电阻器上。还公开了用于制造组合的方法以及使用组合的方法。
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公开(公告)号：CN105705337B
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201380080582.2
申请日：2013-10-31
CPC classification number: B41J2/14072 , B41J2/04541 , B41J2/0458 , B41J2/14016 , B41J2/14129 , B41J2/1601 , B41J2/1607 , B41J2/1626 , B41J2/1631 , B41J2202/13 , H01L21/02565 , H01L27/24 , H01L27/2463 , H01L45/00 , H01L45/04 , H01L45/08 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/1633 , H01L45/1675
Abstract: 公开了具有形成于其上的存储器的打印头。一种示例性装置包括打印头主体，其包括第一金属层。此外，该示例性装置还包括在该打印头主体上形成的存储器。该存储器包括作为第一电极的第一金属层、作为第二电极的第二金属层、以及在该第一和第二金属层之间的切换氧化物层。
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公开(公告)号：CN107077887A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201480082882.9
申请日：2014-10-23
IPC: G11C13/00
Abstract: 描述了用于生成分组忆阻器的代表性逻辑指示符的设备。该设备包括忆阻器阵列。忆阻器阵列包括具有第一逻辑指示符集合的一定数目第一忆阻器以及具有第二逻辑指示符集合的一定数目第二忆阻器。第二逻辑指示符集合不同于第一逻辑指示符集合。在存储器读取操作期间每一个第一忆阻器与对应的第二忆阻器分组在一起，以生成代表性逻辑指示符。
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公开(公告)号：CN105705337A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201380080582.2
申请日：2013-10-31
CPC classification number: B41J2/14072 , B41J2/04541 , B41J2/0458 , B41J2/14016 , B41J2/14129 , B41J2/1601 , B41J2/1607 , B41J2/1626 , B41J2/1631 , B41J2202/13 , H01L21/02565 , H01L27/24 , H01L27/2463 , H01L45/00 , H01L45/04 , H01L45/08 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/1633 , H01L45/1675
Abstract: 公开了具有形成于其上的存储器的打印头。一种示例性装置包括打印头主体，其包括第一金属层。此外，该示例性装置还包括在该打印头主体上形成的存储器。该存储器包括作为第一电极的第一金属层、作为第二电极的第二金属层、以及在该第一和第二金属层之间的切换氧化物层。
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公开(公告)号：CN104205343A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201280071817.7
申请日：2012-04-26
Inventor： 民贤·马克斯·张 , 杨建华 , 吉尔贝托·梅代罗斯·里贝罗 , R·斯坦利·威廉姆斯
IPC: H01L29/86
CPC classification number: H01L29/24 , B82Y10/00 , G11C13/0007 , G11C13/003 , G11C2213/15 , G11C2213/72 , G11C2213/73 , G11C2213/74 , H01L21/02425 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L27/1021 , H01L27/2418 , H01L27/2463 , H01L29/0676 , H01L29/247 , H01L29/47 , H01L29/8605 , H01L29/861 , H01L29/8616 , H01L29/872 , H01L29/92 , H01L45/00 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625
Abstract: 在一个示例中，可定制的非线性电器件包括第一导电层、第二导电层以及薄膜金属-氧化物层，该薄膜金属-氧化物层夹在该第一导电层和该第二导电层之间以形成该金属-氧化物层和该第一导电层之间的第一整流界面以及该金属-氧化物层和该第二导电层之间的第二整流界面。该金属-氧化物层包括共存的金属和金属氧化物的导电混合物。还提供一种形成非线性电器件的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103890943A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201180074219.0
申请日：2011-10-21
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01C10/00 , G11C13/003 , G11C2213/15 , G11C2213/55 , G11C2213/56 , G11C2213/71 , H01C10/16 , H01L27/2463 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H05K1/18
Abstract: 提供了包括设置在第一电极和第二电极之间的活性区的忆阻元件。活性区包括第一金属氧化物的转换层和第二金属氧化物的导电层，其中第一金属氧化物的金属离子不同于第二氧化物的金属离子。忆阻元件基于在第一金属氧化物和第二金属氧化物之间的氧化物异质结而在低电阻状态下展示出非线性电流-电压特性。还提供了包括忆阻元件的多层结构。
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公开(公告)号：CN103733338A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201180072722.2
申请日：2011-06-24
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L45/08 , G11C13/0007 , G11C13/0011 , G11C2213/55 , H01L45/1233 , H01L45/141 , H01L45/142 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/148 , H01L45/149
Abstract: 忆阻器具有第一电极、平行于第一电极的第二电极以及布置在第一电极和第二电极之间的切换层。切换层包含传导沟道和储蓄器区。传导沟道带有具有可变的移动离子浓度的费米玻璃材料。储蓄器区相对于传导沟道横向地布置，并对传导沟道充当移动离子的源/吸收体。在切换操作中，在电场和热效应的协作驱动力下，移动离子移动进或出横向布置的储蓄器区以改变传导沟道中的移动离子的浓度，从而改变费米玻璃材料的传导率。
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公开(公告)号：CN103098211A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201080068814.9
申请日：2010-08-30
Inventor： 贾尼斯·H·尼克尔 , 吉尔贝托·梅代罗斯·里贝罗 , 杨建华
IPC: H01L27/10 , H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C5/063 , G11C13/0002 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C13/02 , G11C2013/0073 , G11C2213/71 , G11C2213/77 , H01L27/101 , H01L27/1021 , H01L27/24 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/147
Abstract: 一种多层交叉存储阵列包括多个层（514）。每个层（514）包括一组平行的顶部线，与一组平行的顶部线相交叉的一组平行的底部线，以及被布置在一组平行的顶部线和一组平行的底部线之间的交叉位置的存储元件（200、216）。来自层（514）之一的一组平行的顶部线是层（514）中相邻层的一组平行的底部线。
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公开(公告)号：CN107077887B
公开(公告)日：2020-03-20
申请号：CN201480082882.9
申请日：2014-10-23
IPC: G11C13/00
Abstract: 描述了用于生成分组忆阻器的代表性逻辑指示符的设备。该设备包括忆阻器阵列。忆阻器阵列包括具有第一逻辑指示符集合的一定数目第一忆阻器以及具有第二逻辑指示符集合的一定数目第二忆阻器。第二逻辑指示符集合不同于第一逻辑指示符集合。在存储器读取操作期间每一个第一忆阻器与对应的第二忆阻器分组在一起，以生成代表性逻辑指示符。
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公开(公告)号：CN105830218A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201380081717.7
申请日：2013-12-18
IPC: H01L27/115
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C7/04 , G11C11/56 , G11C11/5678 , G11C11/5685 , G11C13/0002 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C2013/008 , G11C2213/32 , H01L27/2463 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1286 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/16
Abstract: 公开了具有热辅助开关控制的非易失性存储器元件。非易失性存储器元件布置在热喷墨电阻器上。还公开了用于制造组合的方法以及使用组合的方法。
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