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公开(公告)号:CN119315799A
公开(公告)日:2025-01-14
申请号:CN202410934006.X
申请日:2024-07-12
Applicant: 意法半导体国际公司
Abstract: 功率级包括包含参考FET的并联FET。输入端PWM信号具有开关周期。电流传感器感测在接通期间流过功率级的电流。第一电路生成第一PWM信号,第一PWM信号具有指示参考电流的参考FET驱动损耗的占空比。第二电路生成第二PWM信号,第二PWM信号具有指示参考电流的参考FET导通损耗的占空比。比较第一PWM信号和第二PWM信号的占空比以生成比较信号。参考电流被改变,直到比较信号的逻辑状态改变。通过将参考电流与流过功率级的感测的电流进行比较来为每个FET生成相应使能信号。FET驱动器电路通过将相应使能信号与输入端PWM信号组合来为每个FET生成相应驱动信号。
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公开(公告)号:CN119945117A
公开(公告)日:2025-05-06
申请号:CN202411557293.3
申请日:2024-11-04
Applicant: 意法半导体国际公司
Abstract: 本公开涉及半桥驱动器电路、相关集成电路、半桥电路及方法。一种半桥驱动器电路通过以下来周期性地重复开关循环:经由第一驱动信号闭合第一FET,检测流过第一FET的电流达到阈值的时刻并且然后经由第二驱动信号断开第一FET并闭合第二FET。误差放大器通过将反馈信号与参考信号进行比较来生成控制电压,并且可变电流发生器根据控制电压生成第一电流。误差放大器包括比例‑积分控制器和生成作为斜坡信号的第二电流的斜率补偿电路。阈值是通过从第一电流中减去第二电流而生成的。响应于检测到所述时刻,对第二电流进行采样并且通过从第一电流中减去所采样的第二电流来生成指示阈值的信号。
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公开(公告)号:CN119602600A
公开(公告)日:2025-03-11
申请号:CN202411269079.8
申请日:2024-09-11
Applicant: 意法半导体国际公司
IPC: H02M3/156 , H02M1/08 , H02M1/00 , G01R19/175 , G01R19/252
Abstract: 本申请涉及用于电子设备的控制方法及电路。一种控制电路向电子转换器的电子开关提供驱动信号。第一驱动电路具有接收第一使能信号的第一使能节点和被配置为响应于第一使能信号而提供PWM驱动信号的PWM信号生成器电路。第二驱动电路具有被配置为接收第二使能信号的第二使能节点和被配置为响应于第二使能信号而提供PFM驱动信号的PFM信号生成器电路。耦合到第一驱动电路和第二驱动电路的逻辑电路系统被配置为响应于模式选择信号而断言第一使能信号和第二使能信号中的至少一个。
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