低阻抗VCSEL
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108028512A

    公开(公告)日:2018-05-11

    申请号:CN201580083277.8

    申请日:2015-08-10

    Abstract: 在垂直腔面发射激光器(VCSEL)的示例性实施方案中,VCSEL包括p型分布式布拉格反射器(p‑DBR)层和与p‑DBR层相邻的p型欧姆(p‑欧姆)接触层。p‑DBR层可以包括氧化物孔,p‑欧姆接触层可以具有与氧化物孔对齐的开口。可以用介电材料填充开口。金属层可以耦连到p‑欧姆接触层并封装介电材料。

    低阻抗VCSEL
    9.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108028512B

    公开(公告)日:2020-06-05

    申请号:CN201580083277.8

    申请日:2015-08-10

    Abstract: 在垂直腔面发射激光器(VCSEL)的示例性实施方案中,VCSEL包括p型分布式布拉格反射器(p‑DBR)层和与p‑DBR层相邻的p型欧姆(p‑欧姆)接触层。p‑DBR层可以包括氧化物孔,p‑欧姆接触层可以具有与氧化物孔对齐的开口。可以用介电材料填充开口。金属层可以耦连到p‑欧姆接触层并封装介电材料。

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