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公开(公告)号：CN118658383A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202411000928.X
申请日：2024-07-25
Applicant: 成都利普芯微电子有限公司
Abstract: 本申请涉及一种开路检测方法、LED显示驱动电路以及驱动芯片、显示装置。开路检测方法包括：于M个显示帧中的目标帧的显示期间获取开路检测配置数据；响应于开路检测配置数据，在M个显示帧中的N个检测帧的显示期间执行开路检测，以获得每行灯珠的开路信息；其中，M>1，N>=1。本申请能够防止开路检测过程中出现屏幕闪烁。
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公开(公告)号：CN112542135B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202110140551.8
申请日：2021-02-02
Applicant: 成都利普芯微电子有限公司
IPC: G09G3/32
Abstract: 本发明涉及一种LED显示屏灰度显示驱动模块及方法，包括第一PWM产生模块100和第二PWM产生模块200，以及与第一PWM产生模块100和第二PWM产生模块200连接的PWM合成模块300；在一个显示帧周期内，其对应的灰度数据分为循环显示的第一灰度数据以及固定组数N的第二灰度数据；其中，第一灰度数据为高灰度数据，第二灰度数据为低灰度数据，在同一个视频帧中，显示完灰度数据的全部高灰度数据和低灰度数据后再重复循环显示高灰度数据和低灰度数据，直至下一帧到来，提升显示刷新率，增强了视觉效果，可有效降低图像闪烁，提升了画面稳定性。
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公开(公告)号：CN118116322A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202410423704.3
申请日：2024-04-09
Applicant: 成都利普芯微电子有限公司
IPC: G09G3/32
Abstract: 本发明实施例公开了一种恒流源驱动芯片、驱动电路及显示设备，涉及LED显示屏技术领域，该恒流源驱动芯片最大支持M个行扫，该恒流源驱动芯片通过N个恒流输出通道来驱动具有X行*Y列个灯珠的显示阵列进行显示，X≤M，Y≤N；基于恒流源驱动芯片以M个行扫和N个恒流输出通道驱动显示阵列进行显示而得到的开路检测信息，本发明实施例利用自检模块对恒流源驱动芯片实际负载的行数信息和/或列数信息进行检测；最后通过存储模块将该行数信息和/或列数信息传输给控制器，以此实现控制端可以及时、准确地配置恒流源驱动芯片点亮该显示阵列所需的信息。
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公开(公告)号：CN117539312A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311606552.2
申请日：2023-11-29
Applicant: 成都利普芯微电子有限公司
IPC: G05F1/56
Abstract: 本申请涉及一种恒流源产生电路、显示屏驱动芯片和控制系统。所述恒流源产生电路包括电流产生和修调电路、电流微调电路和恒流源输出电路；所述电流产生和修调电路，用于产生基准电流，并根据第一控制信号对所述基准电流进行修调得到修调电流；所述电流微调电路，用于根据第二控制信号对所述修调电流进行微调得到参考电流；所述恒流源输出电路，用于根据电流调节信号对所述参考电流进行调节并输出目标电流。采用本方法能够缩短电流调节步长，提高电流精度。
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公开(公告)号：CN117452110A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311411929.9
申请日：2023-08-22
Applicant: 成都利普芯微电子有限公司
Abstract: 本发明实施例提供了一种干扰检测电路和电池保护芯片，涉及集成电路技术领域，该干扰检测电路包括：用于接收干扰信号的包括PN结的检测元件以及干扰判断子电路，当检测元件的PN结受到干扰信号时，PN结的漏电流快速增大，本发明基于这一特性将现有包括PN结的半导体元件作为检测元件，干扰判断子电路基于检测元件截止时的漏电大小判断检测元件是否受到干扰，以此快速自检出电路受到干扰信号影响的情况。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117220252A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311163825.0
申请日：2023-09-08
Applicant: 成都利普芯微电子有限公司
Abstract: 本发明实施例公开了电池管理芯片及其ESD防护电路，涉及集成电路技术领域，该ESD防护电路包括：具有隔离阱区的ESD元件、监测模块和控制模块，ESD元件用于对过流检测端电压进行静电释放保护；监测模块用于监测该过流检测端电压；控制模块至少基于过流检测端电压的大小控制隔离阱区的电位端ISO所接电压。该ESD防护电路可以实现在避免隔离阱区与衬底阱区所形成的PN结正向导通的情况下，避免该PN结因干扰信号产生的漏电流造成过流检测端电压异常变化，进而影响过流检测端电压所表征的工作状态。
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公开(公告)号：CN116896363B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311158798.8
申请日：2023-09-08
Applicant: 成都利普芯微电子有限公司
IPC: H03K17/16 , H03K17/687 , H02H7/18
Abstract: 本发明实施例公开了一种NMOS控制电路和电池保护芯片，涉及集成电路技术领域，该NMOS控制电路包括：NMOS，NMOS的栅极、源极共接电压V1，NMOS包括用于将NMOS的P型阱区与P型衬底隔离的N型隔离结构；监测模块用于监测V1；控制模块至少基于V1的大小控制NMOS的N型隔离结构所接电压，以实现在避免N型隔离结构与P型阱区所形成的PN结正向导通的情况下，避免该PN结因干扰信号产生的漏电流影响电压V1所表征的工作状态，进而避免影响应用电路的相关工作性能。
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公开(公告)号：CN117038668A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311163736.6
申请日：2023-09-08
Applicant: 成都利普芯微电子有限公司
IPC: H01L27/02 , H03K17/60 , H03K17/687
Abstract: 本申请提供了一种NPN双极型晶体管控制电路和电池保护芯片，涉及集成电路技术领域，该NPN双极型晶体管控制电路，包括：NPN双极型晶体管，NPN双极型晶体管具有将其P型阱区与P型衬底隔离的N型隔离阱区，NPN双极型晶体管的发射极与基极共同接第一电压；用于监测第一电压的监测模块；以及至少基于第一电压的大小控制N型隔离阱区所接电压的控制模块。本申请通过控制模块调节N型隔离阱区所接电压，使得因干扰信号所导致的N型隔离阱区流向第一电压的检测端的漏电流减小或不存在，从而避免该PN结因干扰信号产生的漏电流影响第一电压所表征的工作状态，降低了干扰信号对应用电路的工作性能的影响。
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公开(公告)号：CN116667713B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310926153.8
申请日：2023-07-26
Applicant: 成都利普芯微电子有限公司
IPC: H02P6/08
Abstract: 本申请涉及一种电机预驱动电路及电机控制系统，属于电机预驱动领域，解决现有技术中电机预驱动电路不能兼容不同的驱动电路的问题。本申请的电机预驱动电路，包括：识别电路，用于识别驱动电路的类型，并输出第一识别信号；控制电路，与所述识别电路电连接，根据所述第一识别信号输出第一PWM信号，以根据所述第一PWM信号控制所述驱动电路的高侧开关管通断。通过本申请的电机预驱动电路，可以同时兼容不同模式的驱动电路。
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公开(公告)号：CN116896363A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202311158798.8
申请日：2023-09-08
Applicant: 成都利普芯微电子有限公司
IPC: H03K17/16 , H03K17/687 , H02H7/18
Abstract: 本发明实施例公开了一种NMOS控制电路和电池保护芯片，涉及集成电路技术领域，该NMOS控制电路包括：NMOS，NMOS的栅极、源极共接电压V1，NMOS包括用于将NMOS的P型阱区与P型衬底隔离的N型隔离结构；监测模块用于监测V1；控制模块至少基于V1的大小控制NMOS的N型隔离结构所接电压，以实现在避免N型隔离结构与P型阱区所形成的PN结正向导通的情况下，避免该PN结因干扰信号产生的漏电流影响电压V1所表征的工作状态，进而避免影响应用电路的相关工作性能。
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