发光非晶碳化硅纳米颗粒的制备方法

    公开(公告)号:CN105236410A

    公开(公告)日:2016-01-13

    申请号:CN201510583991.5

    申请日:2015-09-15

    Applicant: 扬州大学

    Abstract: 本发明涉及一种发光非晶碳化硅纳米颗粒的制备方法,属于光电材料技术领域。本发明的主要特点是将碳化硅多晶陶瓷片表面进行抛光处理后用准分子脉冲激光聚焦到浸于去离子水中的多晶陶瓷片上,在照射过程中,三维可控平台载着烧杯缓慢平移,使激光照射在陶瓷片的位置不断变化,最后得到悬浮于去离子水中的直径10nm左右的非晶碳化硅纳米颗粒,表面呈亲水性,这些保证非晶纳米颗粒可以较稳定地悬浮于去离子水中而不至于沉降,这种非晶碳化硅纳米颗粒强而稳定的蓝光发射,在光电领域、乃至生物医学领域有较好的应用前景。

    激光烧蚀法制备粒径2nm的3C-SiC纳米颗粒

    公开(公告)号:CN103754879B

    公开(公告)日:2015-05-20

    申请号:CN201410032830.2

    申请日:2014-01-24

    Applicant: 扬州大学

    Abstract: 本发明公开了一种激光烧蚀法制备粒径2 nm的3C-SiC纳米颗粒:将6H-SiC多晶陶瓷片依次在去离子水,无水乙醇,丙酮中超声清洗5-10分钟,用电吹风或氮气流吹干。再次置于去离子水超声3-5分钟后,清洗残留有机物。然后将清洗好6H-SiC多晶陶瓷片放在烧杯中,加入去离子水,水面高出6H-SiC多晶陶瓷片的上表面4-5 mm。烧杯放在三维可控平台上,可使之在水平方向上来回缓慢移动。用波长248 nm的准分子脉冲激光为激光光源,强度为300-350 mJ/Pulse,激光经反射和聚焦后照射到浸于去离子水中的多晶陶瓷片上,照射时间为45-60分钟。最后得到悬浮于去离子水中的3C-SiC纳米颗粒。本发明制备的3C-SiC纳米颗粒直径为2 nm左右,无团聚现象,样品在波长为415-495 nm的紫-蓝-蓝绿光范围内具有较强的光发射。

    激光烧蚀法制备粒径2nm的3C-SiC纳米颗粒

    公开(公告)号:CN103754879A

    公开(公告)日:2014-04-30

    申请号:CN201410032830.2

    申请日:2014-01-24

    Applicant: 扬州大学

    Abstract: 本发明公开了一种激光烧蚀法制备粒径2nm的3C-SiC纳米颗粒:将6H-SiC多晶陶瓷片依次在去离子水,无水乙醇,丙酮中超声清洗5-10分钟,用电吹风或氮气流吹干。再次置于去离子水超声3-5分钟后,清洗残留有机物。然后将清洗好6H-SiC多晶陶瓷片放在烧杯中,加入去离子水,水面高出6H-SiC多晶陶瓷片的上表面4-5mm。烧杯放在三维可控平台上,可使之在水平方向上来回缓慢移动。用波长248nm的准分子脉冲激光为激光光源,强度为300-350mJ/Pulse,激光经反射和聚焦后照射到浸于去离子水中的多晶陶瓷片上,照射时间为45-60分钟。最后得到悬浮于去离子水中的3C-SiC纳米颗粒。本发明制备的3C-SiC纳米颗粒直径为2nm左右,无团聚现象,样品在波长为415-495nm的紫-蓝-蓝绿光范围内具有较强的光发射。

    发光非晶碳化硅纳米颗粒的制备方法

    公开(公告)号:CN105236410B

    公开(公告)日:2017-07-18

    申请号:CN201510583991.5

    申请日:2015-09-15

    Applicant: 扬州大学

    Abstract: 本发明涉及一种发光非晶碳化硅纳米颗粒的制备方法,属于光电材料技术领域。本发明的主要特点是将碳化硅多晶陶瓷片表面进行抛光处理后用准分子脉冲激光聚焦到浸于去离子水中的多晶陶瓷片上,在照射过程中,三维可控平台载着烧杯缓慢平移,使激光照射在陶瓷片的位置不断变化,最后得到悬浮于去离子水中的直径10 nm左右的非晶碳化硅纳米颗粒,表面呈亲水性,这些保证非晶纳米颗粒可以较稳定地悬浮于去离子水中而不至于沉降,这种非晶碳化硅纳米颗粒强而稳定的蓝光发射,在光电领域、乃至生物医学领域有较好的应用前景。

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